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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMQ86530L
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMQ86530L - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMQ86530L
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMQ86530L
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 4N-CH 60V 8A 12MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
12-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMQ86530L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 28801

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMQ86530L
Specifiche tecniche onsemi - FDMQ86530L, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMQ86530L

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-MLP (5x4.5)  
Serie GreenBridge™ PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V  
Potenza - Max 1.9W  
Contenitore / involucro 12-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 60V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base FDMQ86530  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMQ86530L

Proprietà del prodotto FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
Modello di prodotti FDMQ86530L FDMQ8403 FDMQ8203 FDML7610S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Numero di prodotto di base FDMQ86530 FDMQ84 FDMQ82 FDML7610
Rds On (max) a Id, Vgs 17.5mOhm @ 8A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 7.5mOhm @ 12A, 10V
Serie GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® PowerTrench®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 3.1A 3.4A, 2.6A 12A, 17A
Configurazione 4 N-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2295pF @ 30V 215pF @ 15V 210pF @ 50V 1750pF @ 15V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 5nC @ 10V 5nC @ 10V 28nC @ 10V
Potenza - Max 1.9W 1.9W 2.5W 800mW, 900mW
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 8-MLP (3x4.5)
Contenitore / involucro 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60V 100V 100V, 80V 30V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

FDMQ86530L Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMQ86530L PDF e la documentazione onsemi per FDMQ86530L - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Note sull'applicazione
Quad MOSFET Approach Delivers Dramatic PoE Improve.pdf
Schede tecniche
FDMQ86530L.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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