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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciFDMQ8203
FDMQ8203 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMQ8203 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMQ8203
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMQ8203
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N/2P-CH 100V/80V 12-MLP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
12-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMQ8203.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 38760

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMQ8203
Specifiche tecniche onsemi - FDMQ8203, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMQ8203

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 12-MLP (5x4.5)  
Serie GreenBridge™ PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V  
Potenza - Max 2.5W  
Contenitore / involucro 12-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 100V, 80V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A, 2.6A  
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base FDMQ82  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMQ8203

Proprietà del prodotto FDMQ8203 FDMQ8403 FDMQ86530L FDML7610S
Modello di prodotti FDMQ8203 FDMQ8403 FDMQ86530L FDML7610S
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi onsemi
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 2.5W 1.9W 1.9W 800mW, 900mW
Configurazione 2 N and 2 P-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 4 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Dual)
Contenitore dispositivo fornitore 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 12-MLP (5x4.5) 8-MLP (3x4.5)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® GreenBridge™ PowerTrench® PowerTrench®
Caratteristica FET Logic Level Gate - Logic Level Gate Logic Level Gate
Rds On (max) a Id, Vgs 110mOhm @ 3A, 10V 110mOhm @ 3A, 10V 17.5mOhm @ 8A, 10V 7.5mOhm @ 12A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 100V, 80V 100V 60V 30V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.4A, 2.6A 3.1A 8A 12A, 17A
Numero di prodotto di base FDMQ82 FDMQ84 FDMQ86530 FDML7610
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 50V 215pF @ 15V 2295pF @ 30V 1750pF @ 15V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Contenitore / involucro 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 12-WDFN Exposed Pad 8-PowerWDFN
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5nC @ 10V 5nC @ 10V 33nC @ 10V 28nC @ 10V

FDMQ8203 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMQ8203 PDF e la documentazione onsemi per FDMQ8203 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Note sull'applicazione
Quad MOSFET Approach Delivers Dramatic PoE Improve.pdf
Schede tecniche
FDMQ8203.pdf

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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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