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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMA905P
FDMA905P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMA905P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMA905P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMA905P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 12V 10A 6MICROFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMA905P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 46830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMA905P
Specifiche tecniche onsemi - FDMA905P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMA905P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3405 pF @ 6 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 6 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 12 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDMA905  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMA905P

Proprietà del prodotto FDMA905P FDMA910PZ FDMA86551L FDMA8884
Modello di prodotti FDMA905P FDMA910PZ FDMA86551L FDMA8884
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (Max) ±8V ±8V ±20V ±20V
Numero di prodotto di base FDMA905 - FDMA86551 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 3405 pF @ 6 V 2805 pF @ 10 V 1235 pF @ 30 V 450 pF @ 15 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1.5V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR) Bulk
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Rds On (max) a Id, Vgs 16mOhm @ 10A, 4.5V 20mOhm @ 9.4A, 4.5V 23mOhm @ 7.5A, 10V 23mOhm @ 6.5A, 10V
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 29 nC @ 6 V 29 nC @ 4.5 V 17 nC @ 10 V 7.5 nC @ 10 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®
Tensione drain-source (Vdss) 12 V 20 V 60 V 30 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 1.9W (Ta)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 10A (Ta) 9.4A (Ta) 7.5A (Ta) 6.5A (Ta), 8A (Tc)

FDMA905P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMA905P PDF e la documentazione onsemi per FDMA905P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Marking Content 19/Nov/2013.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Mult Devices 29/Aug/2018.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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