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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDMA86265P
FDMA86265P Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDMA86265P - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDMA86265P
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDMA86265P
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 150V 1A 6MICROFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-WDFN Exposed Pad
Scheda dati
FDMA86265P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 92520

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDMA86265P
Specifiche tecniche onsemi - FDMA86265P, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDMA86265P

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±25V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2)  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta)  
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 150 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta)  
Numero di prodotto di base FDMA86265  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDMA86265P

Proprietà del prodotto FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
Modello di prodotti FDMA86265P FDMA86108LZ FDMA8051L FDMA905P
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Tensione drain-source (Vdss) 150 V 100 V 40 V 12 V
Contenitore dispositivo fornitore 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2) 6-MicroFET (2x2)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 6V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 1.8V, 4.5V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 1.2Ohm @ 1A, 10V 243mOhm @ 2.2A, 10V 14mOhm @ 10A, 10V 16mOhm @ 10A, 4.5V
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base FDMA86265 - - -
Contenitore / involucro 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad 6-WDFN Exposed Pad
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Vgs (Max) ±25V ±20V ±20V ±8V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 1A (Ta) 2.2A (Ta) 10A (Tc) 10A (Ta)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 4 nC @ 10 V 3 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 29 nC @ 6 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Dissipazione di potenza (max) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta) 2.4W (Ta)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210 pF @ 75 V 163 pF @ 50 V 1260 pF @ 20 V 3405 pF @ 6 V
Serie PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench® PowerTrench®

FDMA86265P Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDMA86265P PDF e la documentazione onsemi per FDMA86265P - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Qualify 2nd supplier 13/Aug/2020.pdf
Schede tecniche
FDMA86265P.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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