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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFDA032N08
FDA032N08 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FDA032N08 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FDA032N08
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FDA032N08
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 75V 120A TO3PN
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-3P-3, SC-65-3
Scheda dati
FDA032N08.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 13164

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FDA032N08
Specifiche tecniche onsemi - FDA032N08, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FDA032N08

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN  
Serie PowerTrench®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 75 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)  
Numero di prodotto di base FDA032  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FDA032N08

Proprietà del prodotto FDA032N08 FDA16N50LDTU FDA18N50 FDA18N50
Modello di prodotti FDA032N08 FDA16N50LDTU FDA18N50 FDA18N50
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor onsemi Fairchild Semiconductor
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Vgs (Max) ±20V ±30V ±30V ±30V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Contenitore / involucro TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3 (Formed Leads) TO-3P-3, SC-65-3 TO-3P-3, SC-65-3
Tensione drain-source (Vdss) 75 V 500 V 500 V 500 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.2mOhm @ 75A, 10V 380mOhm @ 8.3A, 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V 265mOhm @ 9.5A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 375W (Tc) 205W (Tc) 239W (Tc) 239W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15160 pF @ 25 V 1945 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V 2860 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie PowerTrench® - UniFET™ UniFET™
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc) 16.5A (Tc) 19A (Tc) 19A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-3PN TO-3PN (L-Forming) TO-3PN TO-3PN
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base FDA032 - FDA18 -
Pacchetto Tube Bulk Tube Bulk
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)

FDA032N08 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FDA032N08 PDF e la documentazione onsemi per FDA032N08 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf Dimension/Color Change 24/Feb/2021.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf Packing quantity increase 28/Dec/2020.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Assembly/Test Site 14/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
FDA032N08.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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