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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCPF250N65S3L1
FCPF250N65S3L1 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCPF250N65S3L1 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCPF250N65S3L1
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCPF250N65S3L1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 650V 12A TO220F-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FCPF250N65S3L1.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4060

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCPF250N65S3L1
Specifiche tecniche onsemi - FCPF250N65S3L1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCPF250N65S3L1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.2mA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie SuperFET® III  
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 650 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base FCPF250  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCPF250N65S3L1

Proprietà del prodotto FCPF250N65S3L1 FCPF250N65S3R0L FCPF2250N80Z FCPF22N60NT
Modello di prodotti FCPF250N65S3L1 FCPF250N65S3R0L FCPF2250N80Z FCPF22N60NT
fabbricante onsemi onsemi onsemi onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 250mOhm @ 6A, 10V 250mOhm @ 6A, 10V 2.25Ohm @ 1.3A, 10V 165mOhm @ 11A, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 650 V 650 V 800 V 600 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie SuperFET® III SuperFET® III SuperFET® II SupreMOS™
Numero di prodotto di base FCPF250 FCPF250 FCPF2250 FCPF22
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±20V ±45V
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F-3
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Vgs (th) (max) a Id 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 1.2mA 4.5V @ 260µA 4V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 2.6A (Tc) 22A (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 24 nC @ 10 V 24 nC @ 10 V 14 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1010 pF @ 400 V 1010 pF @ 400 V 585 pF @ 100 V 1950 pF @ 100 V
Dissipazione di potenza (max) 31W (Tc) 31W (Tc) 21.9W (Tc) 39W (Tc)
Caratteristica FET - - - -

FCPF250N65S3L1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCPF250N65S3L1 PDF e la documentazione onsemi per FCPF250N65S3L1 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf SuperFet Datasheet Chg 30/Jul/2019.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly Chg 14/Feb/2020.pdf
Schede tecniche
FCPF250N65S3L1.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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