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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloFCPF21N60NT
FCPF21N60NT Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

FCPF21N60NT - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
FCPF21N60NT
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-FCPF21N60NT
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 21A TO-220F
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
FCPF21N60NT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5460

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche FCPF21N60NT
Specifiche tecniche onsemi - FCPF21N60NT, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - FCPF21N60NT

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tube  
temperatura di esercizio -  
Tipo montaggio Through Hole  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  
Numero di prodotto di base FCPF21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi FCPF21N60NT

Proprietà del prodotto FCPF21N60NT FCPF22N60NT FCPF220N80 FCPF20N60
Modello di prodotti FCPF21N60NT FCPF22N60NT FCPF220N80 FCPF20N60
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor onsemi
Numero di prodotto di base FCPF21 FCPF22 FCPF220 FCPF20
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3 TO-220F-3 TO-220F TO-220F-3
Rds On (max) a Id, Vgs - 165mOhm @ 11A, 10V 220mOhm @ 11.5A, 10V 190mOhm @ 10A, 10V
Serie - SupreMOS™ SuperFET® II SuperFET™
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 800 V 600 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id - 4V @ 250µA 4.5V @ 2.3mA 5V @ 250µA
Dissipazione di potenza (max) - 39W (Tc) 44W (Tc) 39W (Tc)
Pacchetto Tube Tube Bulk Tube
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 22A (Tc) 23A (Tc) 20A (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack

FCPF21N60NT Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica FCPF21N60NT PDF e la documentazione onsemi per FCPF21N60NT - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 29/Mar/2022.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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