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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBS170-D26Z
BS170-D26Z Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BS170-D26Z - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BS170-D26Z
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BS170-D26Z
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 500MA TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Scheda dati
BS170-D26Z.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 375840

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BS170-D26Z
Specifiche tecniche onsemi - BS170-D26Z, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BS170-D26Z

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta)  
Numero di prodotto di base BS170  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BS170-D26Z

Proprietà del prodotto BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
Modello di prodotti BS170-D26Z BS170-D75Z BS108ZL1G BS107P
fabbricante onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 40 pF @ 10 V 40 pF @ 10 V 150 pF @ 25 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Bulk
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 1mA 3V @ 1mA 1.5V @ 1mA -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 200 V 200 V
Rds On (max) a Id, Vgs 5Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 8Ohm @ 100mA, 2.8V 30Ohm @ 100mA, 5V
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 2V, 2.8V 2.6V, 5V
Contenitore dispositivo fornitore TO-92-3 TO-92-3 TO-92 (TO-226) TO-92
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Serie - - - -
Numero di prodotto di base BS170 BS170 BS108 BS107
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Dissipazione di potenza (max) 830mW (Ta) 830mW (Ta) 350mW (Ta) 500mW (Ta)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 500mA (Ta) 500mA (Ta) 250mA (Ta) 120mA (Ta)

BS170-D26Z Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BS170-D26Z PDF e la documentazione onsemi per BS170-D26Z - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
Logo 17/Aug/2017.pdf
Packaging PCN
Mult Devices 24/Oct/2017.pdf TO92 Packing Updates 01/Jul/2015.pdf
Numero parte PCN
Mult Device Part Number Chg 30/May/2017.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Site Transfer.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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