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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBS108ZL1G
BS108ZL1G Image
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BS108ZL1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BS108ZL1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BS108ZL1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Scheda dati
BS108.pdf
In magazzino: 4740

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BS108ZL1G
Specifiche tecniche onsemi - BS108ZL1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BS108ZL1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 2.8V  
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 2.8V  
Tensione drain-source (Vdss) 200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta)  
Numero di prodotto di base BS108  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BS108ZL1G

Proprietà del prodotto BS108ZL1G BS107G BS170-D75Z BS107P
Modello di prodotti BS108ZL1G BS107G BS170-D75Z BS107P
fabbricante onsemi onsemi onsemi Diodes Incorporated
Dissipazione di potenza (max) 350mW (Ta) 350mW (Ta) 830mW (Ta) 500mW (Ta)
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Serie - - - -
Numero di prodotto di base BS108 BS107 BS170 BS107
Tensione drain-source (Vdss) 200 V 200 V 60 V 200 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 150 pF @ 25 V 60 pF @ 25 V 40 pF @ 10 V -
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 1mA 3V @ 1mA 3V @ 1mA -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2V, 2.8V 2.6V, 10V 10V 2.6V, 5V
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 100mA, 2.8V 14Ohm @ 200mA, 10V 5Ohm @ 200mA, 10V 30Ohm @ 100mA, 5V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92 (TO-226) TO-92-3 TO-92
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Cut Tape (CT) Bulk Cut Tape (CT) Bulk
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 250mA (Ta) 250mA (Ta) 500mA (Ta) 120mA (Ta)
Caratteristica FET - - - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

BS108ZL1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BS108ZL1G PDF e la documentazione onsemi per BS108ZL1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
BS108.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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