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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloBMS3003-1E
onsemi
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

BMS3003-1E - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
BMS3003-1E
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-BMS3003-1E
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 78A TO220F-3SG
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
BMS3003.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 4470

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Specifiche

Specifiche tecnologiche BMS3003-1E
Specifiche tecniche onsemi - BMS3003-1E, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - BMS3003-1E

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3SG  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 39A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 40W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Ta)  
Numero di prodotto di base BMS30  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi BMS3003-1E

Proprietà del prodotto BMS3003-1E 2SK1058-E SI4420BDY-T1-E3 RFP30N06LE
Modello di prodotti BMS3003-1E 2SK1058-E SI4420BDY-T1-E3 RFP30N06LE
fabbricante onsemi Renesas Electronics America Inc Vishay Siliconix onsemi
Numero di prodotto di base BMS30 2SK1058 SI4420 RFP30
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 13200 pF @ 20 V 600 pF @ 10 V - 1350 pF @ 25 V
Pacchetto Tube Tube Tape & Reel (TR) Tube
Tipo FET P-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Vgs (Max) ±20V ±15V ±20V +10V, -8V
Vgs (th) (max) a Id - - 3V @ 250µA 2V @ 250µA
Contenitore dispositivo fornitore TO-220F-3SG TO-3P 8-SOIC TO-220-3
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V - 4.5V, 10V 5V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 160 V 30 V 60 V
Dissipazione di potenza (max) 2W (Ta), 40W (Tc) 100W (Tc) 1.4W (Ta) 96W (Tc)
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Surface Mount Through Hole
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 78A (Ta) 7A (Ta) 9.5A (Ta) 30A (Ta)
Rds On (max) a Id, Vgs 6.5mOhm @ 39A, 10V - 8.5mOhm @ 13.5A, 10V 47mOhm @ 30A, 5V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 285 nC @ 10 V - 50 nC @ 10 V 62 nC @ 10 V
Serie - - TrenchFET® -

BMS3003-1E Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BMS3003-1E PDF e la documentazione onsemi per BMS3003-1E - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dev Assembly/Mold Chg 20/Mar/2019.pdf
Schede tecniche
BMS3003.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
BMS300 01/Sep/2020.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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