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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo2V7002LT1G
2V7002LT1G Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2V7002LT1G - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2V7002LT1G
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2V7002LT1G
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 115MA SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
2N7002L Datasheet.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 577900

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2V7002LT1G
Specifiche tecniche onsemi - 2V7002LT1G, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2V7002LT1G

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie Automotive, AEC-Q101  
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta)  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Tc)  
Numero di prodotto di base 2V7002  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2V7002LT1G

Proprietà del prodotto 2V7002LT1G 2V7002WT1G SI7194DP-T1-GE3 2V7002KT1G
Modello di prodotti 2V7002LT1G 2V7002WT1G SI7194DP-T1-GE3 2V7002KT1G
fabbricante onsemi onsemi Vishay Siliconix onsemi
Serie Automotive, AEC-Q101 Automotive, AEC-Q101 TrenchFET® Automotive, AEC-Q101
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V 25 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta) 280mW (Tj) 5.4W (Ta), 83W (Tc) 300mW (Tj)
Rds On (max) a Id, Vgs 7.5Ohm @ 500mA, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V 2mOhm @ 20A, 10V 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) SC-70-3 (SOT323) PowerPAK® SO-8 SOT-23-3 (TO-236)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 115mA (Tc) 310mA (Ta) 60A (Tc) 320mA (Ta)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base 2V7002 2V7002 SI7194 2V7002
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.6V @ 250µA 2.3V @ 250µA
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SC-70, SOT-323 PowerPAK® SO-8 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 50 pF @ 25 V 24.5 pF @ 20 V 6590 pF @ 15 V 24.5 pF @ 20 V
Caratteristica FET - - - -

2V7002LT1G Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2V7002LT1G PDF e la documentazione onsemi per 2V7002LT1G - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Design/Specifica
SOT23 27/Sep/2016.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Compound Qualification 23/Jun/2019.pdf
Schede tecniche
2N7002L Datasheet.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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