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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N6520RLRAG
2N6520RLRAG Image
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2N6520RLRAG - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N6520RLRAG
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N6520RLRAG
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS PNP 350V 0.5A TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)
Scheda dati
2N6515,17,20.pdf
In magazzino: 4160

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Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N6520RLRAG
Specifiche tecniche onsemi - 2N6520RLRAG, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N6520RLRAG

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor PNP  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base 2N6520  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N6520RLRAG

Proprietà del prodotto 2N6520RLRAG 2N6517BU 2N6513 2N6520TA
Modello di prodotti 2N6520RLRAG 2N6517BU 2N6513 2N6520TA
fabbricante onsemi Fairchild Semiconductor Microchip Technology Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) TO-204AA, TO-3 TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) - 50nA (ICBO)
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V 20 @ 50mA, 10V - 20 @ 50mA, 10V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA 1V @ 5mA, 50mA - 1V @ 5mA, 50mA
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V 350 V 350 V 350 V
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 7 A 500 mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) - 150°C (TJ)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo transistor PNP NPN NPN PNP
Serie - - - -
Frequenza - transizione 200MHz 200MHz - 200MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92-3 TO-204AD (TO-3) TO-92-3
Numero di prodotto di base 2N6520 - - 2N6520
Pacchetto Tape & Reel (TR) Bulk Bulk Bulk
Potenza - Max 625 mW 625 mW 120 W 625 mW

2N6520RLRAG Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N6520RLRAG PDF e la documentazione onsemi per 2N6520RLRAG - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 08/Nov/2014.pdf Multiple Devices Revision 26/Nov/2014.pdf
Schede tecniche
2N6515,17,20.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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