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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-bipolare (BJT)-singolo2N6517
2N6517 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

2N6517 - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
2N6517
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-2N6517
Modello ECAD
Descrizione delle parti
TRANS NPN 350V 0.5A TO92
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Scheda dati
2N6515, 6517, 6520.pdf
In magazzino: 3820

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 2N6517
Specifiche tecniche onsemi - 2N6517, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 2N6517

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V  
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA  
Tipo transistor NPN  
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226)  
Serie -  
Potenza - Max 625 mW  
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Pacchetto Bulk  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Frequenza - transizione 200MHz  
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V  
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO)  
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA  
Numero di prodotto di base 2N6517  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 2N6517

Proprietà del prodotto 2N6517 2N6517RLRA 2N6520TA 2N6517BU
Modello di prodotti 2N6517 2N6517RLRA 2N6520TA 2N6517BU
fabbricante onsemi onsemi Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor
Contenitore / involucro TO-226-3, TO-92-3 Long Body TO-226-3, TO-92-3 Long Body (Formed Leads) TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
Pacchetto Bulk Tape & Reel (TR) Bulk Bulk
Guadagno in corrente cc (hFE) (min) @ Ic, Vce 20 @ 50mA, 10V 20 @ 50mA, 10V 20 @ 50mA, 10V 20 @ 50mA, 10V
Potenza - Max 625 mW 625 mW 625 mW 625 mW
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Corrente - collettore (Ic) (max) 500 mA 500 mA 500 mA 500 mA
Corrente - Cutoff collettore (max) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO) 50nA (ICBO)
Contenitore dispositivo fornitore TO-92 (TO-226) TO-92 (TO-226) TO-92-3 TO-92-3
Tensione - rottura collettore-emettitore (max) 350 V 350 V 350 V 350 V
Vce saturazione (max) a Ib, Ic 1V @ 5mA, 50mA 1V @ 5mA, 50mA 1V @ 5mA, 50mA 1V @ 5mA, 50mA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) 150°C (TJ) 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base 2N6517 2N6517 2N6520 -
Serie - - - -
Tipo transistor NPN NPN PNP NPN
Frequenza - transizione 200MHz 200MHz 200MHz 200MHz

2N6517 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 2N6517 PDF e la documentazione onsemi per 2N6517 - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Multiple Devices 30/Jun/2006.pdf
Schede tecniche
2N6515, 6517, 6520.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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