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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singolo1HN04CH-TL-W
1HN04CH-TL-W Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

1HN04CH-TL-W - onsemi

fabbricante Modello di prodotti
1HN04CH-TL-W
fabbricante
onsemi
Allelco Modello di prodotti
32D-1HN04CH-TL-W
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 100V 270MA 3CPH
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
1HN04CH-TL-W.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 65710

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche 1HN04CH-TL-W
Specifiche tecniche onsemi - 1HN04CH-TL-W, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad onsemi - 1HN04CH-TL-W

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante onsemi  
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 100µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 3-CPH  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 100 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta)  
Numero di prodotto di base 1HN04  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di onsemi 1HN04CH-TL-W

Proprietà del prodotto 1HN04CH-TL-W PSMN7R5-30MLDX FCP380N60E IPD110N12N3GATMA1
Modello di prodotti 1HN04CH-TL-W PSMN7R5-30MLDX FCP380N60E IPD110N12N3GATMA1
fabbricante onsemi Nexperia USA Inc. onsemi Infineon Technologies
Caratteristica FET - - - -
Serie - - SuperFET® II OptiMOS™
Contenitore dispositivo fornitore 3-CPH LFPAK33 TO-220-3 PG-TO252-3
Vgs (th) (max) a Id 2.6V @ 100µA 2.2V @ 1mA 3.5V @ 250µA 3V @ 83µA (Typ)
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
temperatura di esercizio 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 SOT-1210, 8-LFPAK33 (5-Lead) TO-220-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 15 pF @ 20 V 655 pF @ 15 V 1770 pF @ 25 V 4310 pF @ 60 V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base 1HN04 PSMN7R5 FCP380 IPD110
Dissipazione di potenza (max) - 45W (Tc) 106W (Tc) 136W (Tc)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 270mA (Ta) 57A (Tc) 10.2A (Tc) 75A (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 0.9 nC @ 10 V 11.3 nC @ 10 V 45 nC @ 10 V 65 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Through Hole Surface Mount
Tensione drain-source (Vdss) 100 V 30 V 600 V 120 V
Rds On (max) a Id, Vgs 8Ohm @ 140mA, 10V 7.6mOhm @ 15A, 10V 380mOhm @ 5A, 10V 11mOhm @ 75A, 10V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4V, 10V 4.5V, 10V 10V 10V

1HN04CH-TL-W Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica 1HN04CH-TL-W PDF e la documentazione onsemi per 1HN04CH-TL-W - onsemi.

Informazioni ambientali
onsemi REACH.pdf onsemi RoHS.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Dev EOL 7/Apr/2021.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Wafer Fab 26/Jan/2017.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
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Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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