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MOSFET IRLML2502: caratteristiche, applicazioni e specifiche

L'IRLML2502 è un MOSFET versatile ed efficiente del canale N che è comunemente usato in una vasta gamma di applicazioni elettroniche.È progettato per offrire una resistenza su larga bassa, commutazione rapida e prestazioni affidabili anche nei design compatti.Sia che tu stia lavorando su dispositivi, sistemi di illuminazione o motori alimentati a batteria, questo MOSFET si adatta bene agli ambienti in cui lo spazio è limitato e le prestazioni sono una priorità.In questo articolo, esplorerai le sue caratteristiche, le specifiche e le applicazioni pratiche, aiutandoti a capire come questo componente può migliorare i tuoi progetti.

Catalogare

Panoramica IRLML2502

IRLML2502 è progettato con particolare attenzione all'efficienza e all'affidabilità.Offre una resistenza ultra-bassa, che lo rende perfetto per le situazioni in cui ridurre la perdita di potere è una priorità.Questo MOSFET a canale N è comunemente usato in applicazioni che richiedono una commutazione rapida e prestazioni stabili in varie condizioni.La tecnologia avanzata dietro questo componente garantisce che funzioni bene, anche in progetti compatti, grazie alla sua piccola impronta.La robusta costruzione del MOSFET consente di gestire ambienti impegnativi, offrendo prestazioni coerenti tra una vasta gamma di applicazioni.

Il suo pacchetto Micro3 ™ compatto è particolarmente utile per le situazioni in cui lo spazio è stretto.Se stai lavorando a un progetto in cui lo spazio è limitato, come in elettronica portatile o schede PCMCIA, questo MOSFET potrebbe essere una soluzione ideale.Il profilo basso del pacchetto semplifica l'integrazione in dispositivi sottili pur mantenendo una buona gestione termica, il che aiuta a mantenere il dispositivo fresco e operativo nel tempo.

Configurazione del pin IRLML2502

Modelli di design CAD IRLML2502

Simbolo IRLML2502

Impronta IRLML2502

Modello 3D IRLML2502

Caratteristiche di IRLML2502

Ultra-bassa sulla resistenza

Questo MOSFET è progettato con una resistenza ultra-bassa, che aiuta a ridurre la perdita di potenza durante il funzionamento.Lo troverai utile quando si lavora su progetti che necessitano di una gestione di energia efficiente.

MOSFET N-Canale

L'IRLML2502 è un MOSFET a canale N, il che significa che controlla la corrente applicando una tensione positiva al gate.Questo tipo di MOSFET è ampiamente utilizzato per la commutazione e l'amplificazione in vari circuiti.

Impronta SOT-23

La sua piccola impronta SOT-23 semplifica l'integrazione in design compatti.Ciò è particolarmente utile se si lavora con applicazioni limitate allo spazio o hai bisogno di un componente leggero.

Profilo basso (<1.1mm)

Con un profilo basso inferiore a 1,1 mm, questo MOSFET si inserisce bene in dispositivi sottili.Questa funzione è ideale per l'elettronica portatile e le applicazioni in cui ogni bit di spazio è importante.

Disponibile in nastro e bobina

L'IRLML2502 è disponibile in imballaggio a nastro e bobina, rendendolo conveniente per le linee di produzione automatizzate.Ciò garantisce facilità di manipolazione e posizionamento durante la produzione.

Commutazione rapida

La funzionalità di commutazione rapida del MOSFET consente rapide transizioni tra gli stati ON e OFF.Troverai questa funzione preziosa quando si lavora su circuiti che richiedono un funzionamento ad alta velocità.

Struttura cellulare planare per ampia SOA

Utilizza una struttura cellulare planare che migliora la sua area operativa sicura (SOA).Ciò garantisce un funzionamento affidabile in condizioni variabili, aiutandoti a evitare potenziali danni da correnti o tensioni eccessive.

Ottimizzato per un'ampia disponibilità dai partner di distribuzione

Questo MOSFET è ampiamente disponibile tramite i partner di distribuzione, il che significa che non avrai difficoltà a realizzarlo per i tuoi progetti.È una scelta affidabile con ampia disponibilità.

Qualifica del prodotto secondo JEDEC Standard

L'IRLML2502 è stato qualificato in seguito agli standard JEDEC, quindi puoi fidarti della sua affidabilità e prestazioni per uso a lungo termine in varie applicazioni.

Il silicio ottimizzato per le applicazioni che passa di seguito <100kHz

Il suo design al silicio è ottimizzato per applicazioni che richiedono il passaggio al di sotto di 100kHz.Questo lo rende un'opzione eccellente per i circuiti di commutazione a bassa frequenza.

Pacchetto di montaggio superficiale standard del settore

L'IRLML2502 è disponibile in un pacchetto di montaggio superficiale standard del settore, che rende facile lavorare nella maggior parte dei progetti, garantendo la compatibilità con sistemi e componenti esistenti.

IRLML2502 Specifiche importanti

Specifiche tecniche, attributi, parametri e parti comparabili per IRLML2502TR di Infineon Technologies.

Tipo	Parametro
Tipo di montaggio	Monte della superficie
Pacchetto / caso	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Monte della superficie	SÌ
Materiale dell'elemento transistor	Silicio
Corrente - drenaggio continuo (id) @ 25 ℃	4.2A TA
Numero di elementi	1
Temperatura operativa (max.)	150 ° C.
Confezione	Taglio nastro (CT)
Serie	Hexfet®
Pubblicato	2003
Codice JESD-609	E3
Stato parte	Interrotto
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	1 (illimitato)
Numero di terminazioni	3
Codice ECCN	Ear99
Finitura terminale	Stagno opaco (SN)
Funzione aggiuntiva	Alta affidabilità
Posizione terminale	Dual
Forma terminale	Ala del gabbiano
Temperatura di riflusso del picco (° C)	260
Time @ Peak Reflight Temp (e)	30
Codice JESD-30	R-PDSO-G3
Stato di qualificazione	Non qualificato
Configurazione	Singolo con diodo incorporato
Modalità operativa	Modalità di miglioramento
Tipo FET	N-channel
Applicazione transistor	Commutazione
RDS su (max) @ id, vgs	45MΩ @ 4.2A, 4.5V
Vgs (th) (max) @ id	1.2V @ 250μA
Capacità di input (CISS) (max) @ VDS	740pf @ 15V
Gate Charge (QG) (Max) @ VGS	12NC @ 5V
Drana su Tensione di origine (VDSS)	20V
Codice JEDEC-95	To-236ab
DROVE CORRENT CORRENTE-MAX (ABS) (ID)	4.2a
Drain-source su resistenza-max	0,045Ω
Corrente di scarico pulsato-max (IDM)	33a
DS Breakdown Tensione-min	20V
Potenza dissipazione-max (ABS)	1.25W
Stato ROHS	Non conforme non roHS

Diagramma a blocchi funzionale IRLML2502

Esempio di circuito elettrico IRLML2502

IRLML2502 parti e alternative simili

Numero parte	Descrizione	Produttore
IRLML2502TR Transistor	Transistor a effetto campo di potenza, 4.2a I (d), 20V, 0,045ohm, 1-elemento, cannello N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, Micro-3	Raddrizzatore internazionale
IRLML2502PBF Transistor	Transistor ad effetto campo di potenza, 4.2a I (d), 20V, 0,045ohm, 1-elemento, canno N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, To-236AB, alogeno e senza piombo, micro-3	Raddrizzatore internazionale
IRLML2502 Transistor	Transistor a effetto campo di potenza, 4.2a I (d), 20V, 0,045ohm, 1-elemento, cannello N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, Micro-3	Raddrizzatore internazionale
IRLML2502GTRPBF Transistor	Transistor a effetto campo di potenza, 4.2a I (d), 20V, 0,045ohm, 1-elemento, cannello N, silicio, FET a semiconduttore di ossido di metallo, TO-236AB, privo di piombo, micro-3	Infineon Technologies AG

Applicazioni tipiche di IRLML2502

Motori DC

Se stai lavorando con DC Motors, l'IRLML2502 può essere un'aggiunta utile.La sua bassa resistenza e velocità di commutazione rapida lo rendono ottimo per il controllo della velocità e dell'efficienza del motore.Scoprirai che può gestire le esigenze delle applicazioni motorie, mantenendo le prestazioni fluide e coerenti.

Inverter

L'IRLML2502 è anche una buona scelta quando si tratta di inverter.A causa delle sue rapide capacità di commutazione, aiuta a convertire in modo efficiente DC in AC.Noterai che questo MOSFET funziona bene nelle configurazioni in cui hai bisogno di prestazioni affidabili nel tempo.

SMPS

Per gli alimentatori in modalità switch (SMP), questo MOSFET offre la bassa perdita di potenza e l'alta efficienza di cui potresti aver bisogno.Il suo pacchetto di basso profilo e compatto semplifica l'integrazione nei disegni SMPS, soprattutto quando si hanno a che fare con spazi ristretti.

Illuminazione

Nelle applicazioni di illuminazione, l'IRLML2502 può aiutare a controllare la potenza che va ai LED o ad altre fonti di luce.Troverai la sua efficienza e la capacità di gestire correnti più elevate utili quando si lavora con sistemi di illuminazione sia piccoli che grandi.

Switch di carico

La bassa resistenza di MOSFET e le capacità ad alta corrente lo rendono una scelta forte per gli switch di carico.Sia che tu stia controllando l'alimentazione in diverse parti di un dispositivo o il passaggio tra i carichi, questo componente garantisce un funzionamento regolare.

Applicazioni alimentate a batteria

Se stai progettando dispositivi a batteria, l'IRLML2502 offre l'efficienza necessaria per prolungare la durata della batteria.La sua bassa perdita di potenza significa che il dispositivo può funzionare più a lungo con una singola carica, rendendolo ideale per l'elettronica portatile o altri sistemi a batteria.

Informazioni sul pacchetto IRLML2502

Informazioni sul produttore per IRLML2502

Infineon Technologies, precedentemente noto come Siemens Semiconductor, porta in tavola una vasta esperienza.Con la loro attenzione all'innovazione e all'adattabilità, Infineon è diventato un fornitore leader di componenti microelettronici.La loro vasta gamma di prodotti è progettata per soddisfare le esigenze di vari settori, dall'elettronica di consumo alle applicazioni industriali.Questo MOSFET beneficia dell'impegno di Infineon per la produzione e lo sviluppo del prodotto di alta qualità.La società continua a evolversi nel settore della microelettronica in continua evoluzione, offrendo componenti che soddisfano le esigenze della tecnologia moderna.Il loro vasto portafoglio di prodotti include non solo circuiti integrati ma anche dispositivi a semiconduttore discreti, garantendo che si possono trovare soluzioni su misura per i requisiti specifici del tuo progetto