IL 2n1711 Il transistor, racchiuso in un pacchetto di metallo TO-39, svolge ruoli diversi, come il cambio, l'amplificazione e l'oscillazione.Gestisce fino a 500 mA di corrente del collettore nella commutazione e resiste a correnti di picco del collettore fino a 1A, gestendo agevolmente brevi aumenti di alta corrente.Questa capacità rende il 2N1711 una scelta affidabile per i circuiti che richiedono risposte rapide e dinamiche.
Nelle sue applicazioni pratiche, la natura flessibile del 2N1711 brilla.Eccelle in rapide correnti, rendendolo adatto a una serie di usi dall'amplificazione del segnale semplice a complessi compiti di oscillazione.Il suo design robusto garantisce un funzionamento affidabile in vari contesti elettronici, le lezioni di mirroring apprese dall'uso effettivo in cui la precisione e la stabilità contano.
Lo spiegamento del 2N1711 sottolinea il suo ruolo necessario.Nei circuiti di amplificazione audio, ad esempio, può migliorare notevolmente la chiarezza e la fedeltà.Questi miglioramenti mostrano che anche con i progressi tecnologici, i componenti tradizionali come il 2N1711 rimangono strumentali per ottenere prestazioni eccezionali.
Tipo |
Parametro |
Montare |
Attraverso il buco |
Tipo di montaggio |
Attraverso il buco |
Pacchetto / caso |
A-205AD, a-39-3 in metallo |
Numero di spille |
3 |
Peso |
4.535924G |
Materiale dell'elemento transistor |
Silicio |
Tensione di rottura del collettore-emettitore |
50V |
Numero di elementi |
1 |
HFE (min) |
40 |
Temperatura operativa |
175 ° C TJ |
Confezione |
Tubo |
Codice JESD-609 |
E3 |
Codice Pbfree |
SÌ |
Stato parte |
Obsoleto |
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) |
1 (illimitato) |
Numero di terminazioni |
3 |
Finitura terminale |
Stagno opaco (SN) |
Tensione - DC nominale |
75v |
Dissipazione massima di potenza |
800MW |
Posizione terminale |
Metter il fondo a |
Forma terminale |
Filo |
Valutazione attuale |
500 mA |
Frequenza |
100 MHz |
Numero parte base |
2n17 |
Conteggio dei perni |
3 |
Configurazione dell'elemento |
Separare |
Dissipazione del potere |
800MW |
Applicazione transistor |
Commutazione |
Guadagnare prodotto a banda |
100 MHz |
Polarità/tipo di canale |
Npn |
Tipo di transistor |
Npn |
Tensione dell'emettitore collettore (VCEO) |
50V |
Corrente collettore massima |
500 mA |
DC Current Gain (HFE) @ IC, VCE |
35 @ 100ma, 10V |
Currente - Cutoff del collettore (max) |
10NA ICBO |
VCE saturazione (max) @ ib, ic |
1.5v @ 15ma, 150Ma |
Frequenza di transizione |
100 MHz |
Tensione di base del collettore (VCBO) |
75v |
Tensione di base dell'emettitore (VEBO) |
7v |
Altezza |
6,6 mm |
Lunghezza |
9,4 mm |
Larghezza |
9,4 mm |
Indurimento da radiazioni |
NO |
Stato ROHS |
ROHS3 conforme |
Senza piombo |
Senza piombo |
Caratteristica |
Descrizione |
Tipo di pacchetto |
A-39 |
Tipo di transistor |
Npn |
Corrente collettore massima (IC) |
500 Ma |
Tensione Max Collector-Emitter (VCE) |
50 v |
Tensione MAX Collector-Base (VCB) |
75 v |
Tensione massima di base emettita (VBE) |
7 v |
MAX Collector Dissipation (PC) |
800 MW |
Frequenza di transizione massima (FT) |
100 MHz |
Guadagno di corrente CC minimo e massimo (HFE) |
Da 100 a 300 |
Intervallo di temperatura di archiviazione, operativo e giunzione massimo |
-65 ° C a 200 ° C. |
Conosciuto per la sua resilienza nella gestione di tensioni elevate, il 2N1711 è un tutore contro la rottura.Nei progetti di alimentazione, garantire che l'affidabilità sotto stress diventa più evidente.Selezionando i componenti con tale resistenza alla tensione, l'elettronica sopporta e prospera in condizioni impegnative, offrendo tranquillità a coloro che si affidano a loro.
Mostrando una corrente di perdita minima, il 2N1711 ottimizza l'efficienza del circuito minimizzando l'uso ingiustificato di potenza durante l'inattività.Soprattutto nei dispositivi alimentati a batteria, questo tratto diventa un vantaggio, estendendo gli intervalli tra le cariche e il nutrimento della durata del dispositivo.Spesso puoi scegliere transistor con questa funzione per creare design più sostenibili.
A causa della sua bassa capacità, questo transistor riduce al minimo le interruzioni nei segnali ad alta frequenza, diventando un pilastro dell'affidabilità nelle applicazioni RF.Laddove la chiarezza e la precisione sono ricercate, tali prestazioni assicurano che i dispositivi di comunicazione mantengano l'integrità del segnale, scatenando la fiducia nei loro utenti.
Una vasta gamma attuale, unita alla beta stabile, offre adattabilità negli scenari di amplificazione, accomodando con grazia carichi variabili senza sostanziali fluttuazioni in guadagno.Questo attributo semplifica i processi di progettazione, offrendo prestazioni coerenti su diversi paesaggi operativi.I transistor con questi tratti sono favoriti per la loro affidabilità nella fornitura di risposte di circuito prevedibili.
Il transistor 2N1711 trova spesso un posto in varie applicazioni di commutazione.La sua costruzione solida lo rende adatto per la gestione senza sforzo compiti di energia, anche in scenari impegnativi.Puoi favorirlo per i circuiti che necessitano di transizioni SWIFT on-off, sfruttando la sua competenza di commutazione affidabile per aumentare la reattività del sistema.L'esperienza indica che le sue prestazioni costanti in condizioni diverse lo rendono una scelta affidabile per i sistemi dinamici.
Nelle configurazioni audio, il 2N1711 funziona come un amplificatore competente.Puoi apprezzare la sua capacità di migliorare la chiarezza del suono amplificando i segnali con una distorsione minima.Il suo ruolo nei circuiti analogici sottolinea la sua importanza nel mantenere l'integrità del segnale, che è attiva per l'audio ad alta fedeltà.Spesso puoi rivolgerti ad esso per progetti audio fai -da -te, valutando la sua precisione e affidabilità.
Il dominio della pre-amplificazione è un'altra area in cui il 2N1711 brilla.Prepara i segnali per ulteriori fasi di amplificazione, garantendo che i risultati siano sia chiari che fedeli.Il suo profilo a basso rumore lo rende adatto per applicazioni audio e radiofrequenze sensibili, in cui la qualità del segnale precoce svolge un ruolo importante nel risultato.L'uso del 2N1711 nella pre-amplificazione può migliorare significativamente le prestazioni.
La portata del 2N1711 si estende alle attività a radiofrequenza, dove gestisce efficacemente i segnali RF.La sua capacità di operare ad alte frequenze lo rende valutato nei circuiti RF.Puoi dipendere dalla sua stabilità e precisione per sostenere una qualità di comunicazione coerente, dove è attiva il mantenimento della potenza del segnale rispetto alle interferenze.L'uso effettivo di questo componente spesso evidenzia il suo ruolo principale nei progressi della tecnologia RF.
Oltre a applicazioni specifiche, il 2N1711 è impiegato per l'amplificazione generale del segnale.Aiuta in progetti che vanno da piccoli elettronica a progetti di circuiti complessi, offrendo utili funzioni di amplificazione.La sua flessibilità gli consente di soddisfare facilmente le diverse esigenze dei circuiti, fornendo costantemente risultati eccezionali su numerose applicazioni.Questa versatilità incarna la strategia più ampia di utilizzare componenti adattabili per semplificare la progettazione e l'esecuzione in diverse imprese tecnologiche.
Il transistor 2N1711 mette in mostra una notevole adattabilità, adattandosi perfettamente alla base comune, all'emettitore comune e alle configurazioni comuni del collettore.Ogni configurazione offre i suoi vantaggi.La configurazione di emettitore comune, in particolare, è apprezzata per la sua impressionante tensione e guadagno di potenza.Spesso aumenta la potenza del segnale di ingresso di circa 20 dB, tradendosi in un aumento di cento volte.Qui, la tensione del collettore supera la tensione di base, mentre la corrente di emettitore coinvolge correnti di base e collettore, dimostrando il flusso di corrente cumulativa.
Le variazioni di doping svolgono un ruolo chiave nelle operazioni a transistor.L'emettitore subisce un drogaggio pesante, abbassando così la resistenza e migliorando l'iniezione di elettroni.Al contrario, il collettore riceve un doping di luce per facilitare una raccolta efficiente e ridurre al minimo la perdita di potenza.Queste differenze modellano i tratti di amplificazione e garantiscono l'affidabilità tra diverse applicazioni.
Comprendere l'attuale fattore di amplificazione, indicato da Beta (β), aiuta a creare circuiti efficienti.Definisce il rapporto tra corrente del collettore e corrente di base, aiutando a prevedere il comportamento a transistor in condizioni variabili.Le applicazioni pratiche evidenziano come un'attenta controllo di β possa oscillare significativamente le prestazioni dei circuiti, influenzando così le decisioni in cui vengono utilizzate stabilità ed efficienza.
La stmicroelectronics emerge come una forza sostanziale nel settore dei semiconduttori, celebrata per le sue innovazioni rivoluzionarie.In prima linea nella microelettronica, l'esperienza dell'azienda brilla attraverso le sue capacità all'avanguardia, in particolare nelle tecnologie System-on-Chip (SOC).Le loro soluzioni coprono una vasta gamma di campi, incorporando profondamente i settori automobilistico, industriale, di elettronica personale e di comunicazione, mettendo in mostra la loro influenza di vasta portata.
L'abilità di STMicroelectronics nella tecnologia SOC è un elemento iniziale del loro successo, facilitando la fusione di complesse funzionalità in componenti unificati.Perfettando queste soluzioni, hanno profondamente influenzato l'efficienza e le prestazioni dei dispositivi elettronici.Questa strategia massimizza lo spazio e l'efficienza energetica aumentando le esperienze degli utenti su piattaforme diverse, riflettendo la loro dedizione al progresso e all'eccellenza.
Il 2N1711 è un transistor NPN a base di silicio.Trova il suo posto in impostazioni ad alte prestazioni come amplificatori, oscillatori e switch.Il suo design brilla principalmente nell'amplificazione a basso rumore, rendendolo una scelta preferita per gli usi audio e radiofrequenziali.Nelle applicazioni reali, è apprezzato per migliorare la chiarezza del segnale nei dispositivi di comunicazione e l'elettronica sensibile.Studiare implementazioni di successo evidenzia come la selezione dei componenti influenza le prestazioni complessive del sistema.
Il 2N1711 funziona come un transistor di giunzione bipolare (BJT), usando sia fori che elettroni per la conduzione.Applicando una tensione positiva alla base, il transistor modula correnti più grandi tra l'emettitore e il collettore, funzionando come amplificatore di corrente.Questo processo consente un controllo preciso nei circuiti elettronici, mettendo in mostra il suo ruolo nella regolazione della regolazione e del segnale.Le intuizioni del settore mostrano che una abile manipolazione della corrente di base può migliorare significativamente le prestazioni del transistor, illustrando le complessità dell'ingegneria elettronica strategica.
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