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~~su 22/10/2024~~

MOSFET IRF1010E N-Canale: Specifiche, equivalenti e schede tecniche

L'IRF1010E è un tipo di MOSFET di miglioramento del canale N che si distingue nel mondo dei componenti elettronici.Questa panoramica completa mira a esplorare le complessità dell'IRF1010E, offrendo approfondimenti sul suo utilizzo e specifiche tecniche.Vari componenti come semiconduttori, condensatori, resistori e IC sono onnipresenti, ognuno dei quali recita un unico e ruoli.Tra questi, i MOSFET di miglioramento del canale N come l'IRF1010E contribuiscono all'efficienza e all'affidabilità di numerosi circuiti elettronici.Le loro ampie applicazioni abbracciano sistemi di gestione dell'alimentazione, tecnologia automobilistica e varie operazioni di commutazione.

Catalogare

1. Panoramica IRF1010E

2. IRF1010E Pinout

3. IRF1010E Simbolo, Footprint e Model CAD

4. Specifiche IRF1010EPBF

5. Come implementare il MOSFET IRF1010E?

6. IRF1010E Operazione e utilizzo

7. Caratteristiche del MOSFET IRF1010E

8. Applicazioni di IRF1010E

9. Packaging IRF1010E

10. Informazioni sul produttore IRF1010

Panoramica IRF1010E

IL IRF1010E è un MOSFET di miglioramento del canale N che eccelle nelle applicazioni di commutazione ad alta velocità.Il suo design riduce al minimo la resistenza durante il funzionamento, rendendolo un dispositivo controllato dalla tensione ad alta efficienza in cui la tensione del gate regola il suo stato di commutazione.Questa operazione semplificata svolge un ruolo in numerose applicazioni elettroniche, garantendo una bassa perdita di potenza e prestazioni elevate.

Modelli comparabili IRF1010E

• IRF1010EPBF

• IRF1010EZPBF

• IRF1018EPBF

• IRF1010NPBF

• RFP70N06

• IRF1407

• IRFB4110

• IRFB4110G

• IRFB4115

• IRFB4310Z

• IRFB4310Zg

• IRFB4410

• RFP70N06

Pinout IRF1010E

IRF1010E N-Channel MOSFET Pinout

Numero pin	Nome PIN	Descrizione
1	CANCELLO	Funge da terminale di controllo, modulando il flusso di corrente tra il drenaggio e la fonte.Utilizzare nelle applicazioni di commutazione richiedere un controllo preciso sui tempi e sulla precisione.
2	DRENARE	Funge da punto di uscita per la corrente che scorre attraverso il MOSFET, spesso collegato al carico.Il design attorno allo scarico, incluso Strategie di raffreddamento per l'efficienza.
3	FONTE	Il punto di ingresso per la corrente, in genere collegato al file percorso di terra o di ritorno.È necessaria una gestione efficace per il dispositivo affidabilità e prestazioni del rumore.

Simbolo IRF1010E, impronta e modello CAD

IRF1010E Symbol

IRF1010E Footprint

IRF1010E 3D Model

Specifiche IRF1010EPBF

L'IRF1010E di Infineon Technologies offre specifiche tecniche e include attributi come rating di tensione, gestione della corrente e caratteristiche termiche.L'IRF1010EPBF condivide specifiche simili, adatte a usi comparabili nei circuiti elettronici.

Tipo	Parametro
Montare	Attraverso il buco
Valutazione attuale	3.4 a
Numero di spille	3
Materiale dell'elemento transistor	SILICIO
Dissipazione di potenza (max)	20 w
Temperatura operativa (min)	-55 ° C.
Temperatura operativa (max)	150 ° C.
Stato parte	Attivo
Configurazione	SEPARARE
Terminali	Assiale
Rdson (su resistenza)	0,025 ohm
Valutazione corrente (max)	4.2 a
Tensione - Test RDS (ON)	5v
Applicazione transistor	Commutazione
Polarità	N-channel
Guadagno (hfe/ß) (min) @ ic, VCE	50 @ 2.5a, 10V
VCE saturazione (max) @ ib, ic	1.6V @ 3.2a, 5V
Corrente di scarico continuo (ID)	3.4a
VGS (TH) (Tensione di soglia del gate)	2.0-4.0 V.
Corrente di scarico (max)	4.2a
Total Gate Charge (QG)	72 NC
Sorgi il tempo	70ns
Tempo di caduta	62ns
Tensione - soglia del gate (VGS)	4v
Tensione del gate alla sorgente (max)	20V
Scolare la resistenza alla fonte	0,02 ohm
Tensione nominale	40v
Larghezza	4,19 mm
Altezza	4,57 mm
Radiazioni indurite	NO
Pacchetto	To-220a
Raggiungere svhc	NO
Conforme a ROHS	SÌ
Senza piombo	SÌ

Come implementare il MOSFET IRF1010E?

L'IRF1010E eccelle nella commutazione ad alta velocità, per carichi di media potenza.La sua resistenza di accensione notevolmente bassa riduce al minimo le gocce di tensione e riduce la perdita di potenza, rendendola una scelta ideale per applicazioni precise e impegnative.Gli scenari che richiedono un'efficienza eccezionale beneficiano notevolmente da questa funzione.L'efficienza nei sistemi di gestione dell'energia può essere osservata attraverso l'ottimizzazione dell'utilizzo dell'energia da parte dell'IRF1010E.Poiché riduce la perdita di potenza, questo MOSFET facilita le minori esigenze di dissipazione termica e migliora la stabilità generale del sistema.Questo è vantaggioso in ambienti con spazio limitato e opzioni di raffreddamento.La sua implementazione nei sistemi energetici avanzati dimostra applicazioni pratiche come il bilanciamento dinamico di carichi di potenza e consentendo una durata operativa più lunga per i sistemi basati sulla batteria.I controller del motore beneficiano delle capacità di commutazione ad alta velocità dell'IRF1010E.Il controllo preciso sulla dinamica di commutazione garantisce operazioni di motori elettrici più fluidi, migliorando le prestazioni e la longevità.Le implementazioni pratiche rivelano il raggiungimento di una maggiore efficienza di coppia e riducendo l'usura, riducendo così i costi di manutenzione.

Operazione e utilizzo IRF1010E

IRF1010E Application Circuit

Nel circuito di campionamento, un motore funge da carico e un'unità di controllo amministra il segnale del trigger.Gli sforzi concertati dei resistori, dei divisori di tensione e del MOSFET assicurano la massima prestazione.I resistori R1 e R2 formano un divisore di tensione che fornisce la tensione di gate necessaria.Questa tensione di gate, influenzata dalla tensione del trigger dall'unità di controllo (V1) e dalla tensione di soglia del gate del MOSFET (V2), richiede precisione per una risposta accurata del sistema ai segnali di controllo.

I valori di resistenza alla messa a punto influiscono profondamente la sensibilità della soglia e l'efficienza complessiva del sistema.In contesti industriali in cui i motori richiedono un controllo preciso, la regolazione del divisore di tensione impedisce problemi come falsi attivazione o risposta ritardata.Quando la tensione di gate supera la soglia, il MOSFET si attiva, consentendo alla corrente di fluire attraverso il motore, coinvolgendola così.Al contrario, quando il segnale di controllo scende, la tensione del gate diminuisce, disattiva il MOSFET e arrestando il motore.

La velocità e l'efficienza della cerniera del processo di commutazione sulle variazioni di tensione del gate.Garantire che transizioni acute migliorano le prestazioni e la durata del motore.L'implementazione di una corretta schermatura e filtraggio aumenta l'affidabilità del circuito, in particolare in ambienti fluttuanti come le applicazioni automobilistiche.Il ruolo dell'unità di controllo è fondamentale per la funzionalità dell'IRF1010E.Fornisce la tensione del trigger che imposta il livello di tensione del gate per il MOSFET.È richiesta l'integrità del segnale di controllo elevato, poiché le fluttuazioni o il rumore possono portare a un comportamento MOSFET imprevedibile, influenzando le prestazioni del motore.

Caratteristiche del MOSFET IRF1010E

Tecnologia di processo all'avanguardia

L'IRF1010E impiega una sofisticata tecnologia di processo, che mostra le sue prestazioni impressionanti.Tale tecnologia garantisce il funzionamento efficiente del transistor in diverse condizioni, che è in particolare l'uso nelle applicazioni a semiconduttore che richiedono precisione e affidabilità.Questo progresso migliora la durata del MOSFET e la durata operativa.

Resistenza notevolmente bassa

Una caratteristica distintiva dell'IRF1010E è la sua resistenza eccezionalmente bassa (RDS (ON)).Questa funzione mitiga le perdite di potenza durante il funzionamento, aumentando così l'efficienza.Diventa in modo particolarmente utilizzato in settori sensibili alla potenza come veicoli elettrici e sistemi di energia rinnovabile, in cui l'efficienza energetica è una priorità.La ridotta resistenza comporta anche una ridotta generazione di calore, migliorando la gestione termica del sistema.

Valutazione DV/DT elevata

L'IRF1010E eccelle con un elevato punteggio DV/DT, mostrando la sua capacità di gestire abile fluttuazioni di tensione rapida.Questo tratto è ottimo negli scenari a commutazione rapida, in cui il MOSFET deve rispondere rapidamente senza degrado delle prestazioni.La capacità DV/DT così elevata è vantaggiosa nell'elettronica di alimentazione, garantendo la stabilità e le prestazioni del sistema anche in condizioni di commutazione rapidi.

TEMPERATURA DI OFFERTA SUGGERA DI 175 ° C

La capacità di operare a temperature fino a 175 ° C è un'altra qualità straordinaria dell'IRF1010E.I componenti che mantengono l'affidabilità a temperature elevate si rivelano utili negli ambienti esigenti, come macchinari industriali e motori automobilistici.Questa capacità non solo amplia la gamma di applicazioni del MOSFET, ma migliora anche la sua durata operativa.

Capacità di commutazione rapida

La rapida capacità di commutazione dell'IRF1010E è un attributo fondamentale valutato in numerose applicazioni moderne.La sua rapida commutazione migliora l'efficienza complessiva del sistema e le prestazioni per applicazioni come alimentatori per computer e sistemi di controllo del motore.Qui, la commutazione rapida porta a un minor consumo di energia e una maggiore reattività.

Valutazione delle valanghe

Con una valutazione completa della valanga, l'IRF1010E può sopportare impulsi ad alta energia senza incorrere in danni, sostenendo la sua robustezza.Questo attributo viene utilizzato in applicazioni soggette a ondate di tensione impreviste, garantendo l'affidabilità e la durata del MOSFET.Questo lo rende una scelta ideale per un ampio spettro di applicazioni di elettronica di alimentazione.

Design ecologico senza piombo

La costruzione senza piombo dell'IRF1010E si allinea con standard e regolamenti ambientali contemporanei.L'assenza di piombo è benefica dalle prospettive ecologiche e sanitarie, garantendo il rispetto delle rigorose linee guida ambientali globali e facilitando il suo utilizzo in varie regioni.

Applicazioni di IRF1010E

Sfruttamento delle applicazioni

L'IRF1010E brilla in varie applicazioni di commutazione.La sua bassa resistenza alla resistenza e ad alta capacità di corrente favoriscono prestazioni efficienti e affidabili.Questo componente è necessario nei sistemi che richiedono una rapida commutazione per aumentare l'efficienza complessiva.La sua attitudine per la gestione di un potere sostanziale lo rende un'opzione interessante per le impostazioni ad alta richiesta, come data center e macchinari industriali, dove una rapida risposta e affidabilità sono grandi.

Unità di controllo della velocità

Nelle unità di controllo Speed, l'IRF1010E è valutato per la sua gestione senza soluzione di continuità di alte tensioni e correnti.Si rivela ideale per il controllo dei motori in diverse applicazioni dalle attrezzature industriali automobilistiche a precisione.Altri hanno riportato notevoli miglioramenti nella risposta e nell'efficienza del motore, con conseguente modulazione a velocità più fluida e precisa.

Sistemi di illuminazione

L'IRF1010E eccelle anche nei sistemi di illuminazione.È utile nei driver a LED in cui il controllo attuale è eccezionale.L'incorporazione di questo MOSFET migliora l'efficienza energetica e estende la durata della durata delle soluzioni di illuminazione, rendendolo una scelta popolare in contesti sia commerciali che residenziali.Questo MOSFET è strettamente associato alla moderna tecnologia di illuminazione a risparmio energetico.

Applicazioni PWM

Le applicazioni di modulazione della larghezza di impulso (PWM) beneficiano notevolmente delle capacità di commutazione rapida dell'IRF1010E e dell'efficienza.L'implementazione di questi MOSFET in sistemi come inverter di potenza e amplificatori audio garantisce un controllo preciso del segnale di uscita, aumento delle prestazioni.Ciò migliora la stabilità del sistema con un funzionamento coerente e affidabile.

I conducenti di relè

Nelle applicazioni di guida in relè, l'IRF1010E offre il controllo e l'isolamento di corrente per operazioni di relè efficaci.La sua durata e affidabilità lo rendono adatto a applicazioni serio di sicurezza, come i sistemi di controllo automobilistico e industriale.L'uso pratico mostra che questi MOSFET migliorano la durata del sistema e riducono i tassi di fallimento in ambienti esigenti.

Alimentatori in modalità interruzione

Gli alimentatori in modalità switch (SMP) beneficiano notevolmente dall'uso dell'IRF1010E.Questi MOSFET contribuiscono alla maggiore efficienza e alla ridotta dissipazione del calore, migliorando le prestazioni complessive degli alimentatori.Gli attributi dell'IRF1010E lo rendono un componente principale per fornire energia stabile e affidabile a una varietà di dispositivi elettronici.

Packaging IRF1010E

IRF1010E Package

Informazioni sul produttore IRF1010E

Infineon Technologies, nata da Siemens Semiconductors, ha cementato il suo posto come innovatore di spicco nel settore dei semiconduttori.La vasta linea di prodotti di Infineon comprende circuiti integrati digitali, a segnalo misto e analogici (ICS), insieme a una vasta gamma di componenti discreti di semiconduttori.Questa vasta gamma di prodotti rende infine infine in vari settori tecnologici, come applicazioni automobilistiche, di controllo dell'energia industriale e di sicurezza.Infineon Technologies, continua a condurre attraverso il suo spirito innovativo e la sua vasta gamma di prodotti.I loro sforzi sono importanti per far avanzare le tecnologie ad alta efficienza energetica, mostrando una profonda comprensione delle dinamiche di mercato e delle direzioni future.

PDF da foglio dati

Domande frequenti [FAQ]

1. Qual è la configurazione PIN di IRF1010E?

La configurazione del pin MOSFET IRF1010E include:

Pin 3: fonte (comunemente collegato a terra)

Pin 2: scarico (collegato al componente di carico)

Pin 1: gate (funge da trigger per l'attivazione del MOSFET)

2. Quali condizioni per gestire l'IRF1010E?

Considera queste specifiche durante la gestione dell'IRF1010E:

Tensione massima di drenaggio: 60V

Corrente di scarico continuo massimo: 84a

Corrente di scarico pulsato massimo: 330a

Tensione massima del gate-source: 20V

Intervallo di temperatura operativa: fino a 175 ° C

Dissipazione massima di potenza: 200w

Versione inglese è quella ufficiale

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