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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloP600J-E3/54
Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

P600J-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division

fabbricante Modello di prodotti
P600J-E3/54
fabbricante
Vishay General Semiconductor – Diodes Division
Allelco Modello di prodotti
32D-P600J-E3/54
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE GEN PURP 600V 6A P600
Descrizione dettagliata
Pacchetto
P600, Axial
Scheda dati
P600A thru P600M.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 57050

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche P600J-E3/54
Specifiche tecniche Vishay General Semiconductor - Diodes Division - P600J-E3/54, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay General Semiconductor - Diodes Division - P600J-E3/54

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay General Semiconductor – Diodes Division  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 900 mV @ 6 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore P600  
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 2.5 µs  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro P600, Axial  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Temperatura di funzionamento - Giunzione -50°C ~ 150°C  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A  
Capacità a Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz  
Numero di prodotto di base P600  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay General Semiconductor - Diodes Division P600J-E3/54

Proprietà del prodotto P600J-E3/54 P600B-E3/54 P600K-E3/54 P6010DTFG
Modello di prodotti P600J-E3/54 P600B-E3/54 P600K-E3/54 P6010DTFG
fabbricante Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vishay General Semiconductor - Diodes Division NIKO
Contenitore dispositivo fornitore P600 P600 P600 -
Tecnologia Standard Standard Standard -
Tensione - inversa (Vr) (max) 600 V 100 V 800 V -
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) -
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole -
Contenitore / involucro P600, Axial P600, Axial P600, Axial -
Corrente - Dispersione inversa a Vr 5 µA @ 600 V 5 µA @ 100 V 5 µA @ 800 V -
Temperatura di funzionamento - Giunzione -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -50°C ~ 150°C -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Numero di prodotto di base P600 P600 P600 -
Serie - - - -
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 900 mV @ 6 A 900 mV @ 6 A 900 mV @ 6 A -
Tempo di ripristino inverso (trr) 2.5 µs 2.5 µs 2.5 µs -
Corrente - raddrizzata media (Io) 6A 6A 6A -
Capacità a Vr, F 150pF @ 4V, 1MHz 150pF @ 4V, 1MHz 150pF @ 4V, 1MHz -

P600J-E3/54 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica P600J-E3/54 PDF e la documentazione Vishay General Semiconductor - Diodes Division per P600J-E3/54 - Vishay General Semiconductor - Diodes Division.

Schede tecniche
P600A thru P600M.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Dec 20/Dec/2019.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Vishay General Semiconductor - Diodes Division

P600J-E3/54

Vishay General Semiconductor - Diodes Division
32D-P600J-E3/54

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