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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloCPM2-1200-0080B
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

CPM2-1200-0080B - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
CPM2-1200-0080B
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-CPM2-1200-0080B
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET NCH 1200V 36A DIE
Descrizione dettagliata
Pacchetto
-
Scheda dati
CPM2-1200-0080B.pdf
In magazzino: 4840

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Specifiche

Specifiche tecnologiche CPM2-1200-0080B
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - CPM2-1200-0080B, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - CPM2-1200-0080B

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id -  
Vgs (Max) -  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore -  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Dissipazione di potenza (max) -  
Contenitore / involucro -  
temperatura di esercizio -  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio -  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Tipo FET -  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) -  
Tensione drain-source (Vdss) -  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C -  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. CPM2-1200-0080B

Proprietà del prodotto CPM2-1200-0080B IRFL4315TRPBF CPM1.0A CPM2A-20CDT1-D
Modello di prodotti CPM2-1200-0080B IRFL4315TRPBF CPM1.0A CPM2A-20CDT1-D
fabbricante Wolfspeed, Inc. Infineon Technologies VIA Omron Automation and Safety
Tipo FET - N-Channel - -
Tipo montaggio - Surface Mount - Chassis Mount, DIN Rail
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) - 10V - -
Dissipazione di potenza (max) - 2.8W (Ta) - -
Vgs (th) (max) a Id - 5V @ 250µA - -
Contenitore dispositivo fornitore - SOT-223 - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C - 2.6A (Ta) - -
Contenitore / involucro - TO-261-4, TO-261AA - -
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) - -
temperatura di esercizio - -55°C ~ 150°C (TJ) - 0°C ~ 55°C
Rds On (max) a Id, Vgs - 185mOhm @ 1.6A, 10V - -
Tensione drain-source (Vdss) - 150 V - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - 19 nC @ 10 V - -
Vgs (Max) - ±30V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - 420 pF @ 25 V - -

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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CPM2-1200-0080B

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