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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloC2M0040120D
Wolfspeed, Inc.
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

C2M0040120D - Wolfspeed, Inc.

fabbricante Modello di prodotti
C2M0040120D
fabbricante
Wolfspeed
Allelco Modello di prodotti
32D-C2M0040120D
Modello ECAD
Descrizione delle parti
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
C2M0040120D.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 1004

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Specifiche

Specifiche tecnologiche C2M0040120D
Specifiche tecniche Wolfspeed, Inc. - C2M0040120D, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Wolfspeed, Inc. - C2M0040120D

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Wolfspeed  
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 10mA  
Vgs (Max) +25V, -10V  
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3  
Serie Z-FET™  
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V  
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1893 pF @ 1000 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V  
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc)  
Numero di prodotto di base C2M0040120  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Wolfspeed, Inc. C2M0040120D

Proprietà del prodotto C2M0040120D STU7LN80K5 C2M0160120D NTD5807NT4G
Modello di prodotti C2M0040120D STU7LN80K5 C2M0160120D NTD5807NT4G
fabbricante Wolfspeed, Inc. STMicroelectronics Wolfspeed, Inc. onsemi
Rds On (max) a Id, Vgs 52mOhm @ 40A, 20V 1.15Ohm @ 2.5A, 10V 196mOhm @ 10A, 20V 31mOhm @ 5A, 10V
Numero di prodotto di base C2M0040120 STU7LN80 C2M0160120 NTD58
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA TO-247-3 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Caratteristica FET - - - -
Vgs (Max) +25V, -10V ±30V +25V, -10V ±20V
Serie Z-FET™ MDmesh™ Z-FET™ -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1893 pF @ 1000 V 270 pF @ 100 V 527 pF @ 800 V 603 pF @ 25 V
Contenitore dispositivo fornitore TO-247-3 TO-251 (IPAK) TO-247-3 DPAK
Dissipazione di potenza (max) 330W (Tc) 85W (Tc) 125W (Tc) 33W (Tc)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 60A (Tc) 5A (Tc) 19A (Tc) 23A (Tc)
Tensione drain-source (Vdss) 1200 V 800 V 1200 V 40 V
Pacchetto Tube Tube Tube Tape & Reel (TR)
Tecnologia SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide) SiCFET (Silicon Carbide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 2.8V @ 10mA 5V @ 100µA 2.5V @ 500µA 2.5V @ 250µA
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 20V 10V 20V 4.5V, 10V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 115 nC @ 20 V 12 nC @ 10 V 32.6 nC @ 20 V 20 nC @ 10 V
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Surface Mount

C2M0040120D Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica C2M0040120D PDF e la documentazione Wolfspeed, Inc. per C2M0040120D - Wolfspeed, Inc..

Packaging PCN
Packing Update 19/Mar/2020.pdf
Schede tecniche
C2M0040120D.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
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Italia 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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