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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-singoloNXPSC10650Q
WeEn Semiconductors
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

NXPSC10650Q - WeEn Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
NXPSC10650Q
fabbricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modello di prodotti
32D-NXPSC10650Q
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE SIL CARB 650V 10A TO220AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-2
Scheda dati
NXPSC10650.pdf
In magazzino: 10731

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Specifiche

Specifiche tecnologiche NXPSC10650Q
Specifiche tecniche WeEn Semiconductors - NXPSC10650Q, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad WeEn Semiconductors - NXPSC10650Q

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 10 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V  
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC  
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-2  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 250 µA @ 650 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A  
Capacità a Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz  
Numero di prodotto di base NXPSC  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di WeEn Semiconductors NXPSC10650Q

Proprietà del prodotto NXPSC10650Q NXPSC04650B6J NXPSC08650Q NXPSC04650DJ
Modello di prodotti NXPSC10650Q NXPSC04650B6J NXPSC08650Q NXPSC04650DJ
fabbricante WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors
Tipo montaggio Through Hole Surface Mount Through Hole Surface Mount
Corrente - Dispersione inversa a Vr 250 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V 230 µA @ 650 V 170 µA @ 650 V
Serie - - - -
Velocità No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io) No Recovery Time > 500mA (Io)
Pacchetto Tube Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR)
Corrente - raddrizzata media (Io) 10A 4A 8A 4A
Numero di prodotto di base NXPSC NXPSC NXPSC NXPSC
Tecnologia SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky SiC (Silicon Carbide) Schottky
Contenitore / involucro TO-220-2 TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-220-2 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Capacità a Vr, F 300pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz 260pF @ 1V, 1MHz 130pF @ 1V, 1MHz
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AC D2PAK TO-220AC DPAK
Tempo di ripristino inverso (trr) 0 ns 0 ns 0 ns 0 ns
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.7 V @ 10 A 1.7 V @ 4 A 1.7 V @ 8 A 1.7 V @ 4 A
Tensione - inversa (Vr) (max) 650 V 650 V 650 V 650 V
Temperatura di funzionamento - Giunzione 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max) 175°C (Max)

NXPSC10650Q Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica NXPSC10650Q PDF e la documentazione WeEn Semiconductors per NXPSC10650Q - WeEn Semiconductors.

Packaging PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
Cambia dello stato della parte PCN
Adv Status Notice 28/Sep/2018.pdf Mult Dev Wafer Status 28/Sep/2018.pdf
Schede tecniche
NXPSC10650.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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