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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiDiodi-raddrizzatori-matriciBYV32E-150,127
BYV32E-150,127 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

BYV32E-150,127 - WeEn Semiconductors

fabbricante Modello di prodotti
BYV32E-150,127
fabbricante
WeEn Semiconductors Co., Ltd
Allelco Modello di prodotti
32D-BYV32E-150,127
Modello ECAD
Descrizione delle parti
DIODE ARRAY GP 150V 20A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
BYV32E-150.pdf
Stato RoHS
A norma RoHS
In magazzino: 69120

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche BYV32E-150,127
Specifiche tecniche WeEn Semiconductors - BYV32E-150,127, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad WeEn Semiconductors - BYV32E-150,127

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante WeEn Semiconductors Co., Ltd  
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 20 A  
Tensione - inversa (Vr) (max) 150 V  
Tecnologia Standard  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)  
Serie -  
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max)  
Tipo montaggio Through Hole  
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode  
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 150 V  
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A  
Numero di prodotto di base BYV32  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di WeEn Semiconductors BYV32E-150,127

Proprietà del prodotto BYV32E-150,127 BYV32E-200PQ BYV32-200G BYV32-200-E3/45
Modello di prodotti BYV32E-150,127 BYV32E-200PQ BYV32-200G BYV32-200-E3/45
fabbricante WeEn Semiconductors WeEn Semiconductors onsemi Vishay General Semiconductor - Diodes Division
Tempo di ripristino inverso (trr) 25 ns 25 ns 35 ns 25 ns
Numero di prodotto di base BYV32 BYV32 BYV32 BYV32
Tensione - diretta (Vf) (max) a If 1.15 V @ 20 A 850 mV @ 8 A 1.15 V @ 20 A 1.15 V @ 20 A
Corrente - Dispersione inversa a Vr 30 µA @ 150 V 5 µA @ 200 V 50 µA @ 200 V 10 µA @ 200 V
Serie - - SWITCHMODE™ -
Temperatura di funzionamento - Giunzione 150°C (Max) 175°C (Max) -65°C ~ 175°C -65°C ~ 150°C
Corrente - raddrizzata media (Io) (per diodo) 20A 10A 8A 18A
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tecnologia Standard Standard Standard Standard
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Configurazione diodo 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode 1 Pair Common Cathode
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tensione - inversa (Vr) (max) 150 V 200 V 200 V 200 V
Velocità Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220 TO-220-3

BYV32E-150,127 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica BYV32E-150,127 PDF e la documentazione WeEn Semiconductors per BYV32E-150,127 - WeEn Semiconductors.

Packaging PCN
All Device Label Chg 14/Feb/2020.pdf
PCN Altro
Joint Venture Revision 07/Aug/2015.pdf
Cambia dello stato della parte PCN
Part Status Conversion 22/Nov/2015.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Mult Devices Mold Compound 20/Jun/2019.pdf
Schede tecniche
BYV32E-150.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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