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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloTP0101K-T1-E3
TP0101K-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

TP0101K-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
TP0101K-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-TP0101K-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 0.58A SOT23-3
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Scheda dati
TP0101K-T1-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 3960

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche TP0101K-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - TP0101K-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - TP0101K-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 50µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236)  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 580mA, 4.5V  
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 580mA (Ta)  
Numero di prodotto di base TP0101  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix TP0101K-T1-E3

Proprietà del prodotto TP0101K-T1-E3 TP0104N8 TP0101TS-T1 TP0082/D
Modello di prodotti TP0101K-T1-E3 TP0104N8 TP0101TS-T1 TP0082/D
fabbricante Vishay Siliconix SUPERTEX Electro-Films (EFI) / Vishay 2B
Tipo montaggio Surface Mount - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 2.2 nC @ 4.5 V - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 650mOhm @ 580mA, 4.5V - - -
Tipo FET P-Channel - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) - - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 50µA - - -
Serie - - - -
Contenitore dispositivo fornitore SOT-23-3 (TO-236) - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 580mA (Ta) - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V - - -
Contenitore / involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 - - -
Pacchetto Cut Tape (CT) - - -
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base TP0101 - - -

TP0101K-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica TP0101K-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per TP0101K-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
SIL-1072014 Rev0 17/Dec/2014.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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TP0101K-T1-E3

Vishay Siliconix
32D-TP0101K-T1-E3

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