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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUM40N02-12P-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUM40N02-12P-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUM40N02-12P-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUM40N02-12P-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 40A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SUM40N02-12P.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4790

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SUM40N02-12P-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUM40N02-12P-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUM40N02-12P-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 83W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUM40  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUM40N02-12P-E3

Proprietà del prodotto SUM40N02-12P-E3 SUM40N15-38-E3 SUM27N20-78-E3 SUM40N10-30-GE3
Modello di prodotti SUM40N02-12P-E3 SUM40N15-38-E3 SUM27N20-78-E3 SUM40N10-30-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix VBSEMI
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -
Caratteristica FET - - - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 83W (Tc) 3.75W (Ta), 166W (Tc) 3.75W (Ta), 150W (Tc) -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 27A (Tc) -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1000 pF @ 10 V 2500 pF @ 25 V 2150 pF @ 25 V -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 60 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 6V, 10V 6V, 10V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Numero di prodotto di base SUM40 SUM40 SUM27 -
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 150 V 200 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Rds On (max) a Id, Vgs 12mOhm @ 20A, 10V 38mOhm @ 15A, 10V 78mOhm @ 20A, 10V -
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -

SUM40N02-12P-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUM40N02-12P-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUM40N02-12P-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
SUM40N02-12P.pdf

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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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