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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUM110N06-3M4L-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUM110N06-3M4L-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUM110N06-3M4L-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUM110N06-3M4L-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 110A TO263
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Scheda dati
SUM110N06-3M4L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4380

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SUM110N06-3M4L-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUM110N06-3M4L-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUM110N06-3M4L-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12900 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUM110  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUM110N06-3M4L-E3

Proprietà del prodotto SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N05-06L-E3 SUM110N06-3M9H-E3 SUM110N08-05 MOS
Modello di prodotti SUM110N06-3M4L-E3 SUM110N05-06L-E3 SUM110N06-3M9H-E3 SUM110N08-05 MOS
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 12900 pF @ 25 V 3300 pF @ 25 V 15800 pF @ 25 V -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base SUM110 SUM110 SUM110 -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie TrenchFET® - TrenchFET® -
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 110A (Tc) 110A (Tc) 110A (Tc) -
Vgs (Max) ±20V - ±20V -
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 4.5V @ 250µA -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 55 V 60 V -
Rds On (max) a Id, Vgs 3.4mOhm @ 30A, 10V 6mOhm @ 30A, 10V 3.9mOhm @ 30A, 10V -
Dissipazione di potenza (max) 3.75W (Ta), 375W (Tc) - 3.75W (Ta), 375W (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 300 nC @ 10 V 100 nC @ 10 V 300 nC @ 10 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V - 10V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) - -55°C ~ 175°C (TJ) -
Contenitore dispositivo fornitore TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) TO-263 (D²Pak) -
Contenitore / involucro TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB -

SUM110N06-3M4L-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUM110N06-3M4L-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUM110N06-3M4L-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SUM110N06-3M4L.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Power Mosfet Obs 18/Feb/2015.pdf

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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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