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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSUD40N02-08-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SUD40N02-08-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SUD40N02-08-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SUD40N02-08-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 40A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SUD40N02-08.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4750

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SUD40N02-08-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SUD40N02-08-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SUD40N02-08-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min)  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 71W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 20 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)  
Numero di prodotto di base SUD40  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SUD40N02-08-E3

Proprietà del prodotto SUD40N02-08-E3 SUD40N04-10A-E3 SUD35N10-26P-GE3 SUD35N05-26L-E3
Modello di prodotti SUD40N02-08-E3 SUD40N04-10A-E3 SUD35N10-26P-GE3 SUD35N05-26L-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2660 pF @ 20 V 1700 pF @ 25 V 2000 pF @ 12 V 885 pF @ 25 V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Numero di prodotto di base SUD40 SUD40 SUD35 SUD35
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252AA TO-252AA
Rds On (max) a Id, Vgs 8.5mOhm @ 20A, 4.5V 10mOhm @ 40A, 10V 26mOhm @ 12A, 10V 20mOhm @ 20A, 10V
Dissipazione di potenza (max) 8.3W (Ta), 71W (Tc) 71W (Tc) 8.3W (Ta), 83W (Tc) 7.5W (Ta), 50W (Tc)
Serie TrenchFET® - TrenchFET® TrenchFET®
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 4.4V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±20V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 4.5V, 10V 7V, 10V 4.5V, 10V
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 40 V 100 V 55 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35 nC @ 4.5 V 35 nC @ 10 V 47 nC @ 10 V 13 nC @ 5 V
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc) 40A (Tc) 35A (Tc) 35A (Tc)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)

SUD40N02-08-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SUD40N02-08-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SUD40N02-08-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0582013 05/Dec/2013.pdf
Schede tecniche
SUD40N02-08.pdf

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Europa Germania 5
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Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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