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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQJA96EP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQJA96EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQJA96EP-T1_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQJA96EP-T1_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 80V 30A PPAK SO-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SO-8
Scheda dati
SQJA96EP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 92670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQJA96EP-T1_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQJA96EP-T1_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQJA96EP-T1_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 21.5mOhm @ 10A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)  
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 80 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQJA96  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQJA96EP-T1_GE3

Proprietà del prodotto SQJA96EP-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3
Modello di prodotti SQJA96EP-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 SQJA72EP-T1_GE3 SQJA82EP-T1_GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caratteristica FET - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 25 nC @ 10 V 150 nC @ 10 V 30 nC @ 10 V 60 nC @ 10 V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 135A (Tc) 37A (Tc) 60A (Tc)
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 8 x 8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V ±20V
Rds On (max) a Id, Vgs 21.5mOhm @ 10A, 10V 3.4mOhm @ 20A, 10V 19mOhm @ 10A, 10V 8.2mOhm @ 10A, 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200 pF @ 25 V 7350 pF @ 25 V 1390 pF @ 25 V 3000 pF @ 25 V
Numero di prodotto di base SQJA96 SQJQ410 SQJA72 SQJA82
Vgs (th) (max) a Id 3.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 PowerPAK® 8 x 8 PowerPAK® SO-8 PowerPAK® SO-8
Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc) 136W (Tc) 55W (Tc) 68W (Tc)
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V 4.5V, 10V
Tensione drain-source (Vdss) 80 V 100 V 100 V 80 V

SQJA96EP-T1_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQJA96EP-T1_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQJA96EP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQJA96EP.pdf

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