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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSQJ500AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQJ500AEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQJ500AEP-T1_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQJ500AEP-T1_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P CHAN 40V SO8L DUAL
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SO-8 Dual
Scheda dati
SQJ500AEP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 63650

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQJ500AEP-T1_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQJ500AEP-T1_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQJ500AEP-T1_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA  
Tecnologia -  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V  
Potenza - Max 48W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.1nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc)  
Configurazione N and P-Channel  
Numero di prodotto di base SQJ500  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQJ500AEP-T1_GE3

Proprietà del prodotto SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ844EP-T1-GE3
Modello di prodotti SQJ500AEP-T1_GE3 SQJ560EP-T1_GE3 SQJ570EP-T1_GE3 SQJ844EP-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1850pF @ 20V 1650pF @ 25V 650pF @ 25V, 600pF @ 25V -
Configurazione N and P-Channel N and P-Channel N and P-Channel -
Rds On (max) a Id, Vgs 27mOhm @ 6A, 10V 12mOhm @ 10A, 10V, 52.6mOhm @ 10A, 10V 45mOhm @ 6A, 10V, 146mOhm @ 6A, 10V -
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -
Numero di prodotto di base SQJ500 SQJ560 SQJ570 -
Potenza - Max 48W 34W (Tc) 27W -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -
Tecnologia - MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) -
Caratteristica FET - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 40V 60V 100V -
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 38.1nC @ 10V 30nC @ 10V, 45nC @ 10V 20nC @ 10V, 15nC @ 10V -
Vgs (th) (max) a Id 2.3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 30A (Tc) 30A (Tc), 18A (Tc) 15A (Tc), 9.5A (Tc) -

SQJ500AEP-T1_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQJ500AEP-T1_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQJ500AEP-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQJ500AEP.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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