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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQD19P06-60L_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQD19P06-60L_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQD19P06-60L_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 20A TO252
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
SQD19P06-60L.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 47200

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQD19P06-60L_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQD19P06-60L_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 19A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 46W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQD19  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQD19P06-60L_GE3

Proprietà del prodotto SQD19P06-60L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 SQD2011K SQD23N06-31L-GE3 MOS
Modello di prodotti SQD19P06-60L_GE3 SQD15N06-42L_GE3 SQD2011K SQD23N06-31L-GE3 MOS
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Sanken Electric Co., Ltd. Electro-Films (EFI) / Vishay
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 55mOhm @ 19A, 10V 42mOhm @ 10A, 10V - -
Vgs (Max) ±20V ±20V - -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1490 pF @ 25 V 535 pF @ 25 V - -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA - -
Dissipazione di potenza (max) 46W (Tc) 37W (Tc) - -
Numero di prodotto di base SQD19 SQD15 - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 41 nC @ 10 V 15 nC @ 10 V - -
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® TrenchFET® - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 20A (Tc) 15A (Tc) - -
Tipo FET P-Channel N-Channel - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 60 V - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V 4.5V, 10V - -

SQD19P06-60L_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQD19P06-60L_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQD19P06-60L_GE3 - Vishay Siliconix.

Numero parte PCN
New Ordering Code 19/Mar/2015.pdf
Schede tecniche
SQD19P06-60L.pdf
Assemblaggio/origine PCN
Additional Backmetal Capability 12/APR/2023.pdf

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Europa Germania 5
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Nuova Zelanda 5
Asia India 4
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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