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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQA401EJ-T1_GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQA401EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQA401EJ-T1_GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQA401EJ-T1_GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 20V 3.75A PPAK SC70
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SC-70-6
Scheda dati
SQA401EJ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 144610

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SQA401EJ-T1_GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQA401EJ-T1_GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQA401EJ-T1_GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Vgs (Max) ±12V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single  
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 13.6W (Tc)  
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.75A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQA401  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQA401EJ-T1_GE3

Proprietà del prodotto SQA401EJ-T1_GE3 IPD40DP06NMATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 IXTP140P05T
Modello di prodotti SQA401EJ-T1_GE3 IPD40DP06NMATMA1 IPD80R3K3P7ATMA1 IXTP140P05T
fabbricante Vishay Siliconix Infineon Technologies Infineon Technologies IXYS
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 4V @ 166µA 3.5V @ 30µA 4V @ 250µA
Vgs (Max) ±12V ±20V ±20V ±15V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 13.6W (Tc) 19W (Tc) 18W (Tc) 298W (Tc)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 5.5 nC @ 4.5 V 6.7 nC @ 10 V 5.8 nC @ 10 V 200 nC @ 10 V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Through Hole
Serie Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® OptiMOS™ CoolMOS™ P7 TrenchP™
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-220-3
Caratteristica FET - - - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.75A (Tc) 4.3A (Tc) 1.9A (Tc) 140A (Tc)
Numero di prodotto di base SQA401 IPD40DP06 IPD80R3 IXTP140
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 330 pF @ 10 V 260 pF @ 30 V 120 pF @ 500 V 13500 pF @ 25 V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 60 V 800 V 50 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 2.5V, 4.5V 10V 10V 10V
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Single PG-TO252-3-313 PG-TO252-3 TO-220-3
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Tipo FET P-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Rds On (max) a Id, Vgs 125mOhm @ 2.4A, 4.5V 400mOhm @ 4.3A, 10V 3.3Ohm @ 590mA, 10V 9mOhm @ 70A, 10V
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

SQA401EJ-T1_GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQA401EJ-T1_GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQA401EJ-T1_GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQA401EJ.pdf

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