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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSQ3426EEV-T1-GE3
SQ3426EEV-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SQ3426EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SQ3426EEV-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SQ3426EEV-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 60V 7A 6TSOP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Scheda dati
SQ3426EEV.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4040

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SQ3426EEV-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SQ3426EEV-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SQ3426EEV-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V  
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 30 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc)  
Numero di prodotto di base SQ3426  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SQ3426EEV-T1-GE3

Proprietà del prodotto SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3
Modello di prodotti SQ3426EEV-T1-GE3 SQ3419EEV-T1-GE3 SQ3426EV-T1_BE3 SQ3427AEEV-T1_BE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (th) (max) a Id 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Numero di prodotto di base SQ3426 SQ3419 SQ3426 SQ3427
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Tipo FET N-Channel P-Channel N-Channel P-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 7A (Tc) 7.4A (Tc) 7A (Tc) 5.3A (Tc)
Serie - TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Contenitore / involucro SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Contenitore dispositivo fornitore 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP 6-TSOP
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12 nC @ 4.5 V 15 nC @ 4.5 V 12 nC @ 4.5 V 22 nC @ 10 V
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 40 V 60 V 60 V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Rds On (max) a Id, Vgs 42mOhm @ 5A, 10V 50mOhm @ 2.5A, 10V 42mOhm @ 5A, 10V 95mOhm @ 4.5A, 10V
Caratteristica FET - - - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700 pF @ 30 V 1065 pF @ 20 V 720 pF @ 30 V 1000 pF @ 30 V
Pacchetto Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SQ3426EEV-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SQ3426EEV-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SQ3426EEV-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SQ3426EEV.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
SIL-051-2014-Rev-1 27/Jun/2014.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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