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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSIZ700DT-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIZ700DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIZ700DT-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIZ700DT-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 16A PPAK 1212-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-PowerPair™
Scheda dati
SIZ700DT.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4450

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SIZ700DT-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIZ700DT-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIZ700DT-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-PowerPair™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V  
Potenza - Max 2.36W, 2.8W  
Contenitore / involucro 6-PowerPair™  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A  
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge)  
Numero di prodotto di base SIZ700  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIZ700DT-T1-GE3

Proprietà del prodotto SIZ700DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3
Modello di prodotti SIZ700DT-T1-GE3 SIZ710DT-T1-GE3 SIZ730DT-T1-GE3 SIZ704DT-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 8.6mOhm @ 15A, 10V 6.8mOhm @ 19A, 10V 9.3mOhm @ 15A, 10V 24mOhm @ 7.8A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Contenitore dispositivo fornitore 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 30V
Contenitore / involucro 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™ 6-PowerPair™
Configurazione 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge) 2 N-Channel (Half Bridge)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 2.36W, 2.8W 27W, 48W 27W, 48W 20W, 30W
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1300pF @ 10V 820pF @ 10V 830pF @ 15V 435pF @ 15V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Numero di prodotto di base SIZ700 SIZ710 SIZ730 SIZ704
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 35nC @ 10V 18nC @ 10V 24nC @ 10V 12nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 16A 16A, 35A 16A, 35A 12A, 16A

SIZ700DT-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIZ700DT-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIZ700DT-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Schede tecniche
SIZ700DT.pdf

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Europa Germania 5
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