Specifiche
Specifiche tecnologiche SISS66DN-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SISS66DN-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SISS66DN-T1-GE3
| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| fabbricante |
Vishay / Siliconix |
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| Vgs (th) (max) a Id |
2.5V @ 250µA |
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| Vgs (Max) |
+20V, -16V |
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| Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
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| Contenitore dispositivo fornitore |
PowerPAK® 1212-8S |
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| Serie |
TrenchFET® Gen IV |
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| Rds On (max) a Id, Vgs |
1.38mOhm @ 20A, 10V |
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| Dissipazione di potenza (max) |
5.1W (Ta), 65.8W (Tc) |
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| Contenitore / involucro |
PowerPAK® 1212-8S |
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| Pacchetto |
Tape & Reel (TR) |
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| Proprietà del prodotto |
Valori degli attributi
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| temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
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| Tipo montaggio |
Surface Mount |
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| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
3327 pF @ 15 V |
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| Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs |
85.5 nC @ 10 V |
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| Tipo FET |
N-Channel |
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| Caratteristica FET |
Schottky Diode (Body) |
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| Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) |
4.5V, 10V |
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| Tensione drain-source (Vdss) |
30 V |
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| Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C |
49.1A (Ta), 178.3A (Tc) |
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| Numero di prodotto di base |
SISS66 |
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Metodo di spedizione
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| Paesi comuni Riferimento del tempo logistico |
| Regione |
Paese |
Tempo logistico (giorno) |
| America |
stati Uniti |
5 |
| Brasile |
7 |
| Europa |
Germania |
5 |
| Regno Unito |
4 |
| Italia |
5 |
| Oceania |
Australia |
6 |
| Nuova Zelanda |
5 |
| Asia |
India |
4 |
| Giappone |
4 |
| Medio Oriente |
Israele |
6 |
| DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento |
| Accuse di spedizione (kg) |
Riferimento DHL (USD $) |
| 0.00kg-1.00kg |
USD$30.00 - USD$60.00 |
| 1.00kg-2.00kg |
USD$40.00 - USD$80.00 |
| 2.00kg-3.00kg |
USD$50.00 - USD$100.00 |
- Nota:
- La tabella sopra è solo a riferimento.Potrebbe esserci un po 'di distorsione dei dati per i fattori incontrollabili.
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SISS23DN-T1-GE3 MOSElectro-Films (EFI) / Vishay