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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSIHP12N60E-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIHP12N60E-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIHP12N60E-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIHP12N60E-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 12A TO220AB
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3
Scheda dati
SiHF12N60E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 25084

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SIHP12N60E-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIHP12N60E-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIHP12N60E-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-220-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base SIHP12  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIHP12N60E-E3

Proprietà del prodotto SIHP12N60E-E3 SIHP12N65E-GE3 SIHP15N60E-GE3 SIHP12N50C-E3
Modello di prodotti SIHP12N60E-E3 SIHP12N65E-GE3 SIHP15N60E-GE3 SIHP12N50C-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Contenitore / involucro TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3 TO-220-3
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 15A (Tc) 12A (Tc)
Contenitore dispositivo fornitore TO-220AB TO-220AB TO-220AB -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Dissipazione di potenza (max) 147W (Tc) 156W (Tc) 180W (Tc) 208W (Tc)
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base SIHP12 SIHP12 SIHP15 SIHP12
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 650 V 600 V 500 V
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 58 nC @ 10 V 70 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V 48 nC @ 10 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 937 pF @ 100 V 1224 pF @ 100 V 1350 pF @ 100 V 1375 pF @ 25 V
Serie - - E -
Rds On (max) a Id, Vgs 380mOhm @ 6A, 10V 380mOhm @ 6A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V 555mOhm @ 4A, 10V

SIHP12N60E-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIHP12N60E-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIHP12N60E-E3 - Vishay Siliconix.

Altri documenti correlati
Packaging Information.pdf
PCN Design/Specifica
Mult Dev Material Chg 30/Aug/2019.pdf
Schede tecniche
SiHF12N60E.pdf

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