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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSIHG21N60EF-GE3
SIHG21N60EF-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIHG21N60EF-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIHG21N60EF-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIHG21N60EF-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 21A TO247AC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-247-3
Scheda dati
SIHG21N60EF.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 14621

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SIHG21N60EF-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIHG21N60EF-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIHG21N60EF-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±30V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 176mOhm @ 11A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-247-3  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Numero di prodotto di base SIHG21  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIHG21N60EF-GE3

Proprietà del prodotto SIHG21N60EF-GE3 SIHG22N60E-GE3 SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-GE3
Modello di prodotti SIHG21N60EF-GE3 SIHG22N60E-GE3 SIHG22N50D-E3 SIHG22N50D-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caratteristica FET - - - -
Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc) 227W (Tc) 312W (Tc) 312W (Tc)
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole
Vgs (Max) ±30V ±30V ±30V ±30V
Rds On (max) a Id, Vgs 176mOhm @ 11A, 10V 180mOhm @ 11A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V 230mOhm @ 11A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2030 pF @ 100 V 1920 pF @ 100 V 1938 pF @ 100 V 1938 pF @ 100 V
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V 10V
Numero di prodotto di base SIHG21 SIHG22 SIHG22 SIHG22
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Serie - - - -
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 5V @ 250µA
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 21A (Tc) 22A (Tc) 22A (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 84 nC @ 10 V 86 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V 98 nC @ 10 V
Contenitore / involucro TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
Contenitore dispositivo fornitore TO-247AC TO-247AC TO-247AC TO-247AC
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 500 V

SIHG21N60EF-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIHG21N60EF-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIHG21N60EF-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Mosfet Mfg Add 28/Sep/2020.pdf
Packaging PCN
Packing Tube Design 19/Sep/2019.pdf
Schede tecniche
SIHG21N60EF.pdf

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