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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSIHFR9024TR-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIHFR9024TR-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIHFR9024TR-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIHFR9024TR-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET P-CH 60V 8.8A DPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Scheda dati
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 91030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SIHFR9024TR-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIHFR9024TR-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIHFR9024TR-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Vgs (Max) ±20V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V  
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc)  
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V  
Tipo FET P-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V  
Tensione drain-source (Vdss) 60 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc)  
Numero di prodotto di base SIHFR9024  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIHFR9024TR-GE3

Proprietà del prodotto SIHFR9024TR-GE3 SIHFR9220-GE3 SIHFR9014-GE3 SiHFS11N50A
Modello di prodotti SIHFR9024TR-GE3 SIHFR9220-GE3 SIHFR9014-GE3 SiHFS11N50A
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay
Dissipazione di potenza (max) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 42W (Tc) 2.5W (Ta), 25W (Tc) -
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 4V @ 250µA -
Contenitore / involucro TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 570 pF @ 25 V 340 pF @ 25 V 270 pF @ 25 V -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Caratteristica FET - - - -
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 10V 10V 10V -
Rds On (max) a Id, Vgs 280mOhm @ 5.3A, 10V 1.5Ohm @ 2.2A, 10V 500mOhm @ 3.1A, 10V -
Contenitore dispositivo fornitore TO-252AA TO-252AA TO-252AA -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount -
Serie - - - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Vgs (Max) ±20V ±20V ±20V -
Tensione drain-source (Vdss) 60 V 200 V 60 V -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tube Tape & Reel (TR) -
Tipo FET P-Channel P-Channel P-Channel -
Numero di prodotto di base SIHFR9024 - SIHFR9014 -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8.8A (Tc) 3.6A (Tc) 5.1A (Tc) -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 19 nC @ 10 V 20 nC @ 10 V 12 nC @ 10 V -

SIHFR9024TR-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIHFR9024TR-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIHFR9024TR-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Reel Design Change 29/Dec/2022.pdf
Schede tecniche
IRFR9024, IRFU9024, SiHFR9024, SiHFU9024.pdf

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Europa Germania 5
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