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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSIHF22N60E-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIHF22N60E-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIHF22N60E-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIHF22N60E-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 600V 21A TO220
Descrizione dettagliata
Pacchetto
TO-220-3 Full Pack
Scheda dati
SIHF22N60E.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 22066

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SIHF22N60E-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIHF22N60E-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIHF22N60E-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Full Pack  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V  
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack  
Pacchetto Tube  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Through Hole  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 600 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc)  
Numero di prodotto di base SIHF22  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SIHF22N60E-E3

Proprietà del prodotto SIHF22N60E-E3 SIHF28N60EF-GE3 SIHF18N50D-E3 SIHF15N60E-GE3
Modello di prodotti SIHF22N60E-E3 SIHF28N60EF-GE3 SIHF18N50D-E3 SIHF15N60E-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack TO-220 Full Pack
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1920 pF @ 100 V 2714 pF @ 100 V 1500 pF @ 100 V 1350 pF @ 100 V
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 180mOhm @ 11A, 10V 123mOhm @ 14A, 10V 280mOhm @ 9A, 10V 280mOhm @ 8A, 10V
Contenitore / involucro TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack TO-220-3 Full Pack
Tensione drain-source (Vdss) 600 V 600 V 500 V 600 V
Vgs (th) (max) a Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Serie - - - E
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel N-Channel
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 86 nC @ 10 V 120 nC @ 10 V 76 nC @ 10 V 78 nC @ 10 V
Numero di prodotto di base SIHF22 SIHF28 SIHF18 SIHF15
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 21A (Tc) 28A (Tc) 18A (Tc) 15A (Tc)
Pacchetto Tube Tube Tube Tube
Tipo montaggio Through Hole Through Hole Through Hole Through Hole

SIHF22N60E-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIHF22N60E-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIHF22N60E-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Design/Specifica
Advisory 20/Mar/2019.pdf
Assemblaggio/origine PCN
SIL-079-2014-Rev-0 26/Sep/2014.pdf
Schede tecniche
SIHF22N60E.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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