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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSIA913DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SIA913DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SIA913DJ-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SIA913DJ-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 12V 4.5A SC70-6
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SC-70-6 Dual
Scheda dati
SIA913DJ.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4250

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SIA913DJ-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SIA913DJ-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SIA913DJ-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.3A, 4.5V  
Potenza - Max 6.5W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 12V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SIA913  

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Proprietà del prodotto SIA913DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 SIA914DJ-T1-GE3 SIA911ADJ-T1-GE3
Modello di prodotti SIA913DJ-T1-GE3 SIA913ADJ-T1-GE3 SIA914DJ-T1-GE3 SIA911ADJ-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A 4.5A 4.5A 4.5A
Contenitore / involucro PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Numero di prodotto di base SIA913 SIA913 SIA914 SIA911
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Tensione drain-source (Vdss) 12V 12V 20V 20V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 400pF @ 6V 590pF @ 6V 400pF @ 10V 345pF @ 10V
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual PowerPAK® SC-70-6 Dual
Rds On (max) a Id, Vgs 70mOhm @ 3.3A, 4.5V 61mOhm @ 3.6A, 4.5V 53mOhm @ 3.7A, 4.5V 116mOhm @ 2.8A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 12nC @ 8V 20nC @ 8V 11.5nC @ 8V 13nC @ 8V
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Potenza - Max 6.5W 6.5W 6.5W 6.5W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)

SIA913DJ-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SIA913DJ-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SIA913DJ-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SIA913DJ.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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