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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI9926CDY-T1-E3
SI9926CDY-T1-E3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI9926CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI9926CDY-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI9926CDY-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 8A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI9926CDY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 56080

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI9926CDY-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI9926CDY-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI9926CDY-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 4.5V  
Potenza - Max 3.1W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI9926  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI9926CDY-T1-E3

Proprietà del prodotto SI9926CDY-T1-E3 SI9926BDY-T1-GE3 SI9926DY SI9926CDY-T1-GE3
Modello di prodotti SI9926CDY-T1-E3 SI9926BDY-T1-GE3 SI9926DY SI9926CDY-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Fairchild Semiconductor Vishay Siliconix
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Bulk Tape & Reel (TR)
Numero di prodotto di base SI9926 SI9926 SI9926 SI9926
Potenza - Max 3.1W 1.14W 900mW (Ta) 3.1W
Serie TrenchFET® TrenchFET® - TrenchFET®
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 8A 6.2A 6.5A (Ta) 8A
Vgs (th) (max) a Id 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1.5V @ 250µA
Rds On (max) a Id, Vgs 18mOhm @ 8.3A, 4.5V 20mOhm @ 8.2A, 4.5V 30mOhm @ 6.5A, 4.5V 18mOhm @ 8.3A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 1200pF @ 10V - 700pF @ 10V 1200pF @ 10V
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V 20V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - Logic Level Gate
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 33nC @ 10V 20nC @ 4.5V 10nC @ 4.5V 33nC @ 10V

SI9926CDY-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI9926CDY-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI9926CDY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
SI9926CDY.pdf

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Europa Germania 5
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0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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Vishay Siliconix
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