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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI8902EDB-T2-E1
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI8902EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI8902EDB-T2-E1
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI8902EDB-T2-E1
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 20V 3.9A 6-MFP
Descrizione dettagliata
Pacchetto
6-MICRO FOOT®CSP
Scheda dati
SI8902EDB.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5030

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI8902EDB-T2-E1
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI8902EDB-T2-E1, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI8902EDB-T2-E1

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 980µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 6-Micro Foot™ (2.36x1.56)  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs -  
Potenza - Max 1W  
Contenitore / involucro 6-MICRO FOOT®CSP  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs -  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain  
Numero di prodotto di base SI8902  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI8902EDB-T2-E1

Proprietà del prodotto SI8902EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI8920BD-ISR
Modello di prodotti SI8902EDB-T2-E1 SI8901EDB-T2-E1 SI8900EDB-T2-E1 SI8920BD-ISR
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Skyworks Solutions Inc.
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.9A 3.5A 5.4A -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs - - - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Rds On (max) a Id, Vgs - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 20V -
Configurazione 2 N-Channel (Dual) Common Drain 2 P-Channel (Dual) Common Drain 2 N-Channel (Dual) Common Drain -
Contenitore / involucro 6-MICRO FOOT®CSP 6-MICRO FOOT®CSP 10-UFBGA, CSPBGA 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate -
Numero di prodotto di base SI8902 SI8901 SI8900 SI8920
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) -
Contenitore dispositivo fornitore 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 6-Micro Foot™ (2.36x1.56) 10-Micro Foot™ CSP (2x5) 16-SOIC
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 980µA 1V @ 350µA 1V @ 1.1mA -
Potenza - Max 1W 1W 1W -

SI8902EDB-T2-E1 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI8902EDB-T2-E1 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI8902EDB-T2-E1 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI8902EDB.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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