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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7842DP-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI7842DP-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7842DP-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7842DP-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 6.3A PPAK SO-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® SO-8 Dual
Scheda dati
Si7842DP.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4670

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7842DP-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7842DP-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7842DP-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual  
Serie LITTLE FOOT®  
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V  
Potenza - Max 1.4W  
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI7842  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI7842DP-T1-E3

Proprietà del prodotto SI7842DP-T1-E3 SI7844DP-T1-GE3 SI7844DP-T1-E3 SI7842DP-T1-GE3
Modello di prodotti SI7842DP-T1-E3 SI7844DP-T1-GE3 SI7844DP-T1-E3 SI7842DP-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Rds On (max) a Id, Vgs 22mOhm @ 7.5A, 10V 22mOhm @ 10A, 10V 22mOhm @ 10A, 10V 22mOhm @ 7.5A, 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Vgs (th) (max) a Id 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA 2.4V @ 250µA
Pacchetto Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 30V 30V
Serie LITTLE FOOT® - - LITTLE FOOT®
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 1.4W 1.4W 1.4W 1.4W
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.3A 6.4A 6.4A 6.3A
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) - - -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 20nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V 20nC @ 10V
Numero di prodotto di base SI7842 SI7844 SI7844 SI7842

SI7842DP-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7842DP-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7842DP-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
Si7842DP.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
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2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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