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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7501DN-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI7501DN-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7501DN-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7501DN-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N/P-CH 30V 5.4A 1212-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® 1212-8 Dual
Scheda dati
Si7501DN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5010

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7501DN-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7501DN-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie -  
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V  
Potenza - Max 1.6W  
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual  
Pacchetto Cut Tape (CT)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A, 4.5A  
Configurazione N and P-Channel, Common Drain  
Numero di prodotto di base SI7501  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI7501DN-T1-E3

Proprietà del prodotto SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-GE3 SI7530DP-T1-E3 SI7540DP-T1-GE3
Modello di prodotti SI7501DN-T1-E3 SI7501DN-T1-GE3 SI7530DP-T1-E3 SI7540DP-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 14nC @ 10V 14nC @ 10V 20nC @ 10V 17nC @ 4.5V
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Rds On (max) a Id, Vgs 35mOhm @ 7.7A, 10V 35mOhm @ 7.7A, 10V 75mOhm @ 4.6A, 10V 17mOhm @ 11.8A, 4.5V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V 60V 12V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.4A, 4.5A 5.4A, 4.5A 3A, 3.2A 7.6A, 5.7A
Numero di prodotto di base SI7501 SI7501 SI7530 SI7540
Potenza - Max 1.6W 1.6W 1.4W, 1.5W 1.4W
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Configurazione N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel, Common Drain N and P-Channel N and P-Channel
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual PowerPAK® SO-8 Dual
Serie - - - TrenchFET®
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Cut Tape (CT) Tape & Reel (TR)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA

SI7501DN-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7501DN-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7501DN-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
Obs 29/Dec/2015.pdf
Schede tecniche
Si7501DN.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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