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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI7218DN-T1-GE3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI7218DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI7218DN-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI7218DN-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 24A 1212-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® 1212-8 Dual
Scheda dati
SI7218DN.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5390

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI7218DN-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI7218DN-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI7218DN-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V  
Potenza - Max 23W  
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI7218  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI7218DN-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI7218DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7222DN-T1-E3
Modello di prodotti SI7218DN-T1-GE3 SI7216DN-T1-E3 SI7223DN-T1-GE3 SI7222DN-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Caratteristica FET - - - -
Numero di prodotto di base SI7218 SI7216 SI7223 SI7222
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 24A 6A 6A (Tc) 6A
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -50°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 40V 30V 40V
Rds On (max) a Id, Vgs 25mOhm @ 8A, 10V 32mOhm @ 5A, 10V 26.4mOhm @ 8A, 10V 42mOhm @ 5.7A, 10V
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® Gen III TrenchFET®
Contenitore / involucro PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 3V @ 250µA 2.5V @ 250µA 1.6V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 17nC @ 10V 19nC @ 10V 40nC @ 10V 29nC @ 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 700pF @ 15V 670pF @ 20V 1425pF @ 15V 700pF @ 20V
Potenza - Max 23W 20.8W 2.6W (Ta), 23W (Tc) 17.8W
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual PowerPAK® 1212-8 Dual

SI7218DN-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI7218DN-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI7218DN-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
Multiple Fabracation Changes09/Jul/2014.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
Mult Mosfet EOL 30/Aug/2018.pdf
Schede tecniche
SI7218DN.pdf

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