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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI5944DU-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI5944DU-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI5944DU-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI5944DU-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 6A 8PWRPAK
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® ChipFET™ Dual
Scheda dati
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4830

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI5944DU-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI5944DU-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V  
Potenza - Max 10W  
Contenitore / involucro PowerPAK® ChipFET™ Dual  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI5944  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI5944DU-T1-E3

Proprietà del prodotto SI5944DU-T1-E3 SI5947DU-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3
Modello di prodotti SI5944DU-T1-E3 SI5947DU-T1-GE3 SI5935DC-T1-E3 SI5997DU-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6A 6A 3A 6A
Tensione drain-source (Vdss) 40V 20V 20V 30V
Potenza - Max 10W 10.4W 1.1W 10.4W
Rds On (max) a Id, Vgs 112mOhm @ 3.3A, 10V 58mOhm @ 3.6A, 4.5V 86mOhm @ 3A, 4.5V 54mOhm @ 3A, 10V
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 210pF @ 20V 480pF @ 10V - 430pF @ 15V
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFet Dual PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual
Numero di prodotto di base SI5944 SI5947 SI5935 SI5997
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.6nC @ 10V 17nC @ 10V 8.5nC @ 4.5V 14.5nC @ 10V
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore / involucro PowerPAK® ChipFET™ Dual PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1.5V @ 250µA 1V @ 250µA 2.4V @ 250µA

SI5944DU-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI5944DU-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI5944DU-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
Dual N-Channel 40-V (D-S) MOSFET.pdf

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Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
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Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
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