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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI5933CDC-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI5933CDC-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI5933CDC-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI5933CDC-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 3.7A 1206-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
SI5933CDC.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 4140

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI5933CDC-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI5933CDC-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI5933CDC-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 144mOhm @ 2.5A, 4.5V  
Potenza - Max 2.8W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI5933  

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Proprietà del prodotto SI5933CDC-T1-E3 SI5920DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3
Modello di prodotti SI5933CDC-T1-E3 SI5920DC-T1-E3 SI5915DC-T1-E3 SI5915BDC-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tensione drain-source (Vdss) 20V 8V 8V 8V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Numero di prodotto di base SI5933 SI5920 SI5915 SI5915
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6.8nC @ 5V 12nC @ 5V 9nC @ 4.5V 14nC @ 8V
Caratteristica FET - Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3.7A 4A 3.4A 4A
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™
Potenza - Max 2.8W 3.12W 1.1W 3.1W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 276pF @ 10V 680pF @ 4V - 420pF @ 4V
Rds On (max) a Id, Vgs 144mOhm @ 2.5A, 4.5V 32mOhm @ 6.8A, 4.5V 70mOhm @ 3.4A, 4.5V 70mOhm @ 3.3A, 4.5V
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min) 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead

SI5933CDC-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI5933CDC-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI5933CDC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
Schede tecniche
SI5933CDC.pdf

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