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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI5903DC-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI5903DC-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI5903DC-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SMD, Flat Lead
Scheda dati
SI5903DC-T1-E3.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5270

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI5903DC-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI5903DC-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI5903DC-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V  
Potenza - Max 1.1W  
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 20V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI5903  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI5903DC-T1-E3

Proprietà del prodotto SI5903DC-T1-E3 SI5904DC-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 SI5905DC-T1-E3
Modello di prodotti SI5903DC-T1-E3 SI5904DC-T1-GE3 SI5906DU-T1-GE3 SI5905DC-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Contenitore / involucro 8-SMD, Flat Lead 8-SMD, Flat Lead PowerPAK® ChipFET™ Dual 8-SMD, Flat Lead
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 6nC @ 4.5V 6nC @ 4.5V 8.6nC @ 10V 9nC @ 4.5V
Potenza - Max 1.1W 1.1W 10.4W 1.1W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 2.1A 3.1A 6A 3A
Numero di prodotto di base SI5903 SI5904 SI5906 SI5905
Vgs (th) (max) a Id 600mV @ 250µA (Min) 1.5V @ 250µA 2.2V @ 250µA 450mV @ 250µA (Min)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Rds On (max) a Id, Vgs 155mOhm @ 2.1A, 4.5V 75mOhm @ 3.1A, 4.5V 31mOhm @ 4.8A, 10V 90mOhm @ 3A, 4.5V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Contenitore dispositivo fornitore 1206-8 ChipFET™ 1206-8 ChipFET™ PowerPAK® ChipFet Dual 1206-8 ChipFET™
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - 300pF @ 15V -
Tensione drain-source (Vdss) 20V 20V 30V 8V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)

SI5903DC-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI5903DC-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI5903DC-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Informazioni ambientali
Material Compliance.pdf
PCN Obsolescence/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

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