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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-singoloSI5486DU-T1-E3
Vishay Siliconix
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI5486DU-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI5486DU-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI5486DU-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET N-CH 20V 12A CHIPFET
Descrizione dettagliata
Pacchetto
PowerPAK® ChipFET™ Single
Scheda dati
SI5486DU.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 5370

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Quantità

Specifiche

Specifiche tecnologiche SI5486DU-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI5486DU-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA  
Vgs (Max) ±8V  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFET™ Single  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 7.7A, 4.5V  
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 31W (Tc)  
Contenitore / involucro PowerPAK® ChipFET™ Single  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 10 V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 8 V  
Tipo FET N-Channel  
Caratteristica FET -  
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V  
Tensione drain-source (Vdss) 20 V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc)  
Numero di prodotto di base SI5486  

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI5486DU-T1-E3

Proprietà del prodotto SI5486DU-T1-E3 SI5484DU-T1-GE3 SI5486DU-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3
Modello di prodotti SI5486DU-T1-E3 SI5484DU-T1-GE3 SI5486DU-T1-GE3 SI5475DDC-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Vgs (Max) ±8V ±12V ±8V ±8V
Tipo FET N-Channel N-Channel N-Channel P-Channel
Contenitore / involucro PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single 8-SMD, Flat Lead
Tensione dell'azionamento (Max Rds On, Min Rds On) 1.8V, 4.5V 2.5V, 4.5V 1.8V, 4.5V 1.8V, 4.5V
Numero di prodotto di base SI5486 SI5484 SI5486 SI5475
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 12A (Tc) 12A (Tc) 12A (Tc) 6A (Tc)
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA 2V @ 250µA 1V @ 250µA 1V @ 250µA
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Contenitore dispositivo fornitore PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single PowerPAK® ChipFET™ Single 1206-8 ChipFET™
Caratteristica FET - - - -
Rds On (max) a Id, Vgs 15mOhm @ 7.7A, 4.5V 16mOhm @ 7.6A, 4.5V 15mOhm @ 7.7A, 4.5V 32mOhm @ 5.4A, 4.5V
Tensione drain-source (Vdss) 20 V 20 V 20 V 12 V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 2100 pF @ 10 V 1600 pF @ 10 V 2100 pF @ 10 V 1600 pF @ 6 V
Dissipazione di potenza (max) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 3.1W (Ta), 31W (Tc) 2.3W (Ta), 5.7W (Tc)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 54 nC @ 8 V 55 nC @ 10 V 54 nC @ 8 V 50 nC @ 8 V

SI5486DU-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI5486DU-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI5486DU-T1-E3 - Vishay Siliconix.

Schede tecniche
SI5486DU.pdf

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