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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4947ADY-T1-GE3
SI4947ADY-T1-GE3 Image
Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI4947ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4947ADY-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4947ADY-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2P-CH 30V 3A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4947ADY.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5280

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Quantità
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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4947ADY-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4947ADY-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min)  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.9A, 10V  
Potenza - Max 1.2W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds -  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A  
Configurazione 2 P-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI4947  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4947ADY-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI4947ADY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-E3 SI4948B SI4947DY-T1
Modello di prodotti SI4947ADY-T1-GE3 SI4947ADY-T1-E3 SI4948B SI4947DY-T1
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Electro-Films (EFI) / Vishay Electro-Films (EFI) / Vishay
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC - -
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 3A 3A - -
Serie TrenchFET® TrenchFET® - -
Numero di prodotto di base SI4947 SI4947 - -
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 8nC @ 5V 8nC @ 5V - -
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) - -
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) - -
Potenza - Max 1.2W 1.2W - -
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) - -
Configurazione 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual) - -
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) - -
Rds On (max) a Id, Vgs 80mOhm @ 3.9A, 10V 80mOhm @ 3.9A, 10V - -
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds - - - -
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount - -
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate - -
Tensione drain-source (Vdss) 30V 30V - -
Vgs (th) (max) a Id 1V @ 250µA (Min) 1V @ 250µA (Min) - -

SI4947ADY-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4947ADY-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4947ADY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
PCN- SIL-0722014 10/Jun/2014.pdf
Schede tecniche
SI4947ADY.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
Brasile 7
Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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Contattaci se hai domande.

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