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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4936CDY-T1-GE3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.

SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4936CDY-T1-GE3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4936CDY-T1-GE3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 30V 5.8A 8-SOIC
Descrizione dettagliata
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4936CDY.pdf
Stato RoHS
In magazzino: 167870

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4936CDY-T1-GE3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4936CDY-T1-GE3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4936CDY-T1-GE3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 2.3W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V  
Caratteristica FET Logic Level Gate  
Tensione drain-source (Vdss) 30V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI4936  

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Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4936CDY-T1-GE3

Proprietà del prodotto SI4936CDY-T1-GE3 SI4940DY-T1-GE3 SI4936ADY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3
Modello di prodotti SI4936CDY-T1-GE3 SI4940DY-T1-GE3 SI4936ADY-T1-E3 SI4936BDY-T1-E3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Potenza - Max 2.3W 1.1W 1.1W 2.8W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Numero di prodotto di base SI4936 SI4940 SI4936 SI4936
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 5.8A 4.2A 4.4A 6.9A
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 9nC @ 10V 14nC @ 10V 20nC @ 10V 15nC @ 10V
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V 36mOhm @ 5.7A, 10V 36mOhm @ 5.9A, 10V 35mOhm @ 5.9A, 10V
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (th) (max) a Id 3V @ 250µA 1V @ 250µA (Min) 3V @ 250µA 3V @ 250µA
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 15V - - 530pF @ 15V
Caratteristica FET Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate Logic Level Gate
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 30V 40V 30V 30V

SI4936CDY-T1-GE3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4936CDY-T1-GE3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4936CDY-T1-GE3 - Vishay Siliconix.

Assemblaggio/origine PCN
New Solder Plating Site 18/Apr/2023.pdf
Schede tecniche
SI4936CDY.pdf

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