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CasaCentro di prodottiProdotti a semiconduttore discretiTransistor-FET, MOSFET-matriciSI4906DY-T1-E3
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Le immagini sono solo di riferimento, si prega di fare riferimento alle specifiche per ulteriori informazioni sul prodotto.
OPZIONE ESPRIT
Metodo di pagamento

SI4906DY-T1-E3 - Vishay Siliconix

fabbricante Modello di prodotti
SI4906DY-T1-E3
fabbricante
Vishay / Siliconix
Allelco Modello di prodotti
32D-SI4906DY-T1-E3
Modello ECAD
Descrizione delle parti
MOSFET 2N-CH 40V 6.6A 8-SOIC
Pacchetto
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Scheda dati
SI4906DY-T1-E3.pdf
Stato RoHS
La nostra certificazione
In magazzino: 5030

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Specifiche

Specifiche tecnologiche SI4906DY-T1-E3
Specifiche tecniche Vishay Siliconix - SI4906DY-T1-E3, attributi, parametri e parti con specifiche simili ad Vishay Siliconix - SI4906DY-T1-E3

Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
fabbricante Vishay / Siliconix  
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA  
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)  
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC  
Serie TrenchFET®  
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 5A, 10V  
Potenza - Max 3.1W  
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)  
Pacchetto Tape & Reel (TR)  
Proprietà del prodotto Valori degli attributi  
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)  
Tipo montaggio Surface Mount  
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 20V  
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V  
Caratteristica FET -  
Tensione drain-source (Vdss) 40V  
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A  
Configurazione 2 N-Channel (Dual)  
Numero di prodotto di base SI4906  

Classificazioni ambientali e di esportazione

ATTRIBUTO DESCRIZIONE
Stato RoHS
Livello di sensibilità all'umidità (MSL) 1 (Unlimited)
Raggiungere lo stato REACH Unaffected
ECCN EAR99
HTSUS

Componenti con specifiche simili

Le tre parti sulla destra hanno specifiche simili a quelle di Vishay Siliconix SI4906DY-T1-E3

Proprietà del prodotto SI4906DY-T1-E3 SI4908DY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3
Modello di prodotti SI4906DY-T1-E3 SI4908DY-T1-E3 SI4910DY-T1-GE3 SI4909DY-T1-GE3
fabbricante Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix Vishay Siliconix
Configurazione 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Contenitore / involucro 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Rds On (max) a Id, Vgs 39mOhm @ 5A, 10V 60mOhm @ 4.1A, 10V 27mOhm @ 6A, 10V 27mOhm @ 8A, 10V
Contenitore dispositivo fornitore 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC 8-SOIC
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo montaggio Surface Mount Surface Mount Surface Mount Surface Mount
Potenza - Max 3.1W 2.75W 3.1W 3.2W
Pacchetto Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR)
Tensione drain-source (Vdss) 40V 40V 40V 40V
Numero di prodotto di base SI4906 SI4908 SI4910 SI4909
Caratteristica FET - - - Logic Level Gate
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 625pF @ 20V 355pF @ 20V 855pF @ 20V 2000pF @ 20V
Vgs (th) (max) a Id 2.2V @ 250µA 2.2V @ 250µA 2V @ 250µA 2.5V @ 250µA
Carica Gate (Qg) (Max) @ Vgs 22nC @ 10V 12nC @ 10V 32nC @ 10V 63nC @ 10V
Corrente - Drain continuo (Id) @ 25 ° C 6.6A 5A 7.6A 8A
Serie TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET® TrenchFET®

SI4906DY-T1-E3 Data foglio dati PDF

Scarica la scheda tecnica SI4906DY-T1-E3 PDF e la documentazione Vishay Siliconix per SI4906DY-T1-E3 - Vishay Siliconix.

PCN Obsolescence/ EOL
SIL-0632014 16/Apr/2014.pdf

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Paesi comuni Riferimento del tempo logistico
Regione Paese Tempo logistico (giorno)
America stati Uniti 5
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Europa Germania 5
Regno Unito 4
Italia 5
Oceania Australia 6
Nuova Zelanda 5
Asia India 4
Giappone 4
Medio Oriente Israele 6
DHL e FedEx Spedizione addebita riferimento
Accuse di spedizione (kg) Riferimento DHL (USD $)
0.00kg-1.00kg USD$30.00 - USD$60.00
1.00kg-2.00kg USD$40.00 - USD$80.00
2.00kg-3.00kg USD$50.00 - USD$100.00
Nota:
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